型号:

FDS8447

品牌:ON(安森美)
封装:8-SOIC
批次:-
包装:编带
重量:0.12g
其他:
-
FDS8447 产品实物图片
FDS8447 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 12.8A 1个N沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.37
100+
4.46
1250+
4.06
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,12.8A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)49nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)250pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

FDS8447 产品概述

一、产品简介

FDS8447 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),由 ON Semiconductor(安森美)公司设计和制造。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,FDS8447 广泛应用于各种电子电路中,特别适用于电源管理、开关电路和驱动负载应用。

二、产品特性

  1. 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): FDS8447 的最大漏源电压为 40V,适合大多数低至中等电压的应用。
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时,FDS8447 的连续漏极电流达到 12.8A,这使其能够承担较大的电流负载,适用于需要高电流的应用场合。
    • 导通电阻(Rds(on)): 在栅极驱动电压为 10V 时,最大导通电阻为 10.5 毫欧,这确保了设备在高电流条件下的低功耗表现。
  2. 驱动电压与栅电荷:

    • FDS8447 的栅驱动电压的范围为 4.5V 到 10V,支持多种工作条件。
    • 在 10V 驱动下,栅极电荷(Qg)为 49nC,说明其切换速度快,适合高频开关应用。
  3. 器件阈值电压(Vgs(th)): FDS8447 的最大栅源阈值电压为 3V,适合使用低电压控制信号,从而降低系统的复杂性和提升兼容性。

  4. 功率耗散: 该器件的功率耗散最大为 2.5W,能够在合理的温度下有效工作,不易过热。

  5. 宽广的工作温度范围: FDS8447 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使其在恶劣的工作环境下也能保持良好的性能稳定性。

三、封装与安装类型

FDS8447 采用 8-SOIC 表面贴装型封装。这种封装形式不仅有助于节省 PCB 空间,还方便实现自动化生产和高效的热管理。8-SOIC 封装的尺寸为 0.154"(3.90mm 宽),适应各种电子产品的设计需求。

四、应用场景

FDS8447 的特性使其适用于多个应用领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器以及电池管理系统中,FDS8447 能够高效能地转换电压并控制电流。
  • 马达驱动: 由于其高电流承载能力,FDS8447 基于 MOSFET 技术可用于直流电机驱动,提供平稳的启停控制和反向旋转功能。
  • LED 驱动: 在 LED 照明应用中,FDS8447 可实现高效的电流控制,为 LED 提供所需的准确电流供应。

五、总结

FDS8447 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET,适用于自动化、工业控制和消费电子等多种应用场合。它凭借较高的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。无论是在电源管理还是其他高效开关应用中,FDS8447 都是一个值得信赖的选择。选择 FDS8447,您将在设计中获得卓越的性能表现。