型号:

KSD1691YSTU

品牌:ON(安森美)
封装:TO-126-3
批次:-
包装:管装
重量:1.4g
其他:
-
KSD1691YSTU 产品实物图片
KSD1691YSTU 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.3W 60V 5A NPN TO-126
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.22
100+
5.27
1000+
5.09
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)5A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)1.3W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@0.1A,1V
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@2A,0.2A
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:KSD1691YSTU NPN晶体管

1. 概述

KSD1691YSTU是一款高性能的NPN型晶体管,由安森美(ON Semiconductor)制造,专为需要高电流及高电压的电子电路设计而成。该产品在功率放大、开关应用以及驱动电路中广泛应用,具有出色的电气性能和热稳定性,非常适合工业、消费电子和汽车等多种应用场景。

2. 基础参数

KSD1691YSTU的主要电气参数如下:

  • 晶体管类型:NPN型
  • 最大集电极电流(Ic):5A
  • 集射极击穿电压(Vce):60V
  • Vce饱和压降:在200mA和2A时最大为300mV
  • 集电极截止电流(ICBO):最大为10µA
  • 直流电流增益(hFE):在2A、1V时为最小160
  • 最大功率:1.3W
  • 工作温度范围:最高可达150°C(TJ)

3. 封装与安装

KSD1691YSTU采用TO-126-3封装,具有良好的热性能和电气隔离性,增加了元器件的耐用性。其通孔式的安装方式简单易行,能够兼容各种PCB设计,便于在各种电路板中集成。

4. 电气性能分析

KSD1691YSTU的设计使其在高输入电流和较高的集电极电压下依然保持较低的饱和压降,这对于高效能的开关电路尤为重要。300mV的饱和压降使其在切换状态时能有效降低功耗,提升整体电路的能效。此外,DC电流增益(hFE)高达160,确保了在不同工作条件下都能维持稳定的电流增益特性,加快了响应速度。

5. 应用场景

KSD1691YSTU非常适合应用于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 电机驱动电路
  • 高频开关电路
  • 放大器电路
  • 线性稳压器
  • 其他需要高电流和电压的环节

由于其高温工作特性,该元器件也适用于汽车电子和工业控制等高温环境中,保证了长期稳定的性能。

6. 结论

总之,KSD1691YSTU是一款功能强大的NPN晶体管,以其优越的电气性能和广泛的应用适应性,成为设计工程师手中的理想选择。该器件不仅能够满足高电流和电压的应用需求,同时也具有良好的热稳定性,保证了其在多种工作环境下的可靠性。其通孔的设计和TO-126-3的封装形式,使得其在快速原型开发和量产中的应用变得方便而高效。

这一系列的特性使得KSD1691YSTU成为现代电子设计中不可或缺的组件之一,在满足高效能与高可靠性的同时,确保了电子设备的优异性能和耐用性。