型号:

15N10

品牌:UMW(友台半导体)
封装:TO-252-2
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
15N10 产品实物图片
15N10 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 55W 100V 15A 1个N沟道 TO-252-2
库存数量
库存:
3447
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.797
100+
0.531
1250+
0.483
2500+
0.443
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)95mΩ@10V
功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)632pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)21pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

15N10 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

15N10 是由友台半导体(UMW)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对此产品的详细介绍,包括其关键参数、特性、应用场景以及使用注意事项。

基础参数

  • 功率(Pd): 55W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 21pF @ 50V
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 95mΩ @ 10V
  • 工作温度: -55℃ ~ +175℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 19.2nC @ 10V
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 类型: 1个N沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 632pF @ 50V
  • 连续漏极电流(Id): 15A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V @ 250uA

封装和品牌

  • 封装: TO-252-2
  • 品牌: 友台半导体(UMW)

特性

高功率处理能力

15N10 具有高达55W的功率处理能力,使其适用于需要高能量转换的应用,如电源供应器、电动机驱动器和高频开关电源。

低导通电阻

该MOSFET的导通电阻(RDS(on))仅为95mΩ @ 10V,这意味着在导通状态下,设备会产生较低的热量和能量损失,从而提高系统的整体效率。

宽工作温度范围

工作温度范围从-55℃到+175℃,使得15N10 可以在各种极端环境下稳定运行,适用于工业、汽车和航空等领域。

高频性能

输入电容(Ciss)为632pF @ 50V,反向传输电容(Crss)为21pF @ 50V,这些参数表明该MOSFET具有良好的高频性能,适合用于高频开关应用。

快速开关时间

栅极电荷(Qg)为19.2nC @ 10V,这个相对较低的栅极电荷值意味着快速的开关时间,可以减少开关损耗,提高系统的整体效率。

应用场景

电源供应器

15N10 的高功率处理能力和低导通电阻使其成为电源供应器中的理想选择,特别是在需要高效能量转换和低热量产生的情况下。

电动机驱动器

在电动机驱动应用中,15N10 可以提供稳定的高电流输出,并且其宽工作温度范围确保了在各种环境条件下可靠运行。

高频开关电源

由于其优秀的高频性能和快速开关时间,15N10非常适合用于高频开关电源,如SMPS(交换模式电源)和类似设备。

汽车电子设备

该MOSFET的宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子设备中的一个很好的选择,例如在启动系统、燃油喷射系统等应用中。

使用注意事项

热管理

尽管15N10具有低导通电阻,但在高功率应用中仍需要合适的散热措施,以确保设备在长时间运行时保持稳定。

栅极驱动

由于栅极电荷相对较低,需要选择合适的栅极驱动器以确保快速和可靠的开关操作。

安装和焊接

TO-252-2封装需要遵循标准的安装和焊接流程,以避免因热应力或机械应力导致的故障。

电气隔离

在设计电路时,必须确保适当的电气隔离措施,以防止高压和高频信号对其他组件造成干扰或损害。

结论

15N10 是一款高性能N沟道场效应管,通过其优异的参数和特性,适用于广泛的高功率电子应用。通过了解其详细规格和特点,可以更好地利用这一设备,设计出高效、可靠的电子系统。同时,遵循适当的使用注意事项,可以最大限度地发挥出15N10 的性能优势。