描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2A 1个N沟道 SOT-23
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梯度内地(含税)
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100+
0.975
750+
0.812
1500+
0.738
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）70 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）423pF @ 10V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SuperSOT-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FDN327N 产品概述
一、产品简介
FDN327N 是一种高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由著名的电子元器件制造商 ON Semiconductor（安森美）生产。该器件采用 SuperSOT-3 封装形式，适用于多种应用，特别是在空间有限的表面贴装（SMD）设计中表现出色。FDN327N 以其优异的电气特性、可靠性和耐久性，成为开关电源、新能源设备、源跟随器和其他低电压高电流应用的理想选择。
二、技术参数
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: FDN327N 的漏源耐压为20V，能够在多种工作环境中保持稳定的性能，适应较低电压的应用需求。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C 时，器件的连续漏极电流额定值为2A。这为高效开关和电流切换提供了充足的电流支持。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大 1.5V @ 250µA，适用于低电压控制驱动。
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大 70 毫欧（@ 2A，4.5V），这意味着在工作时损耗较小，能提高效率。
- 输入电容（Ciss）: 423pF @ 10V，适合快速开关操作，降低开关延迟。
驱动条件
- 栅极驱动电压: FDN327N 在1.8V和4.5V的双电压下能够达到最小的Rds(on)，使系统设计更加灵活，方便与不同的驱动电路兼容。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为6.3nC @ 4.5V，反映了该器件在快速开关过程中所需的栅极驱动能量，尤其适合高频开关电源。
温度范围
- 工作温度: 产品支持宽广的工作温度范围，-55°C ~ 150°C，适应各种严苛的工作环境，对于汽车电子、工业控制等应用尤为重要。
功率耗散
- 最大功率耗散值为500mW，确保在正常工作状态下的发热量控制，使器件在短时间内高负载的情况下也能稳妥工作。
三、封装与安装
FDN327N采用表面贴装型 SuperSOT-3 封装。该封装类型非常适合空间有限的电路板设计，提升了空间利用率。其较小的尺寸使其易于自动化焊接，适合大规模生产。
四、应用场合
FDN327N 的多种电气特性使其在许多领域中具有良好的应用潜力：
- 开关电源: 由于其低导通电阻和优秀的高频特性，FDN327N 常被用于开关电源的功率转换部分。
- 电动工具: 适用于电动工具中的电机控制，能够高效驱动清洗机、吹风机等设备。
- 新能源汽车: 在电池管理系统（BMS）和电机驱动控制模块中广泛应用。
- 通信设备: 能支持高频和快速开关特性，可用于 RF 放大器及信号调制解调器。
五、总结
综合来看，FDN327N N 通道 MOSFET 具有卓越的电气性能和灵活的应用特性，适合于现代电子设备的各种需求。其可靠性和高效性为设计者提供了出色的性能基础，使其成为电源管理、信号处理和高频应用等领域中备受推崇的选材。无论是在消费电子还是工业应用，FDN327N 都是一个值得考虑的优质选择。