FQD19N10LTM

FQD19N10LTM 产品概述

概述

FQD19N10LTM是一种高效能的N沟道MOSFET，具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力，适合高压、高电流的开关和放大电路。该器件的设计旨在满足现代电子设备对功率效率和散热性能的严格要求，特别适合于电源管理、马达驱动和车载电子等应用。

主要参数

FQD19N10LTM具有以下关键参数：

• 漏源电压（Vdss）: 100V，能够承受高达100伏的电压，非常适合高功率应用。
• 连续漏极电流（Id）: 15.6A（在Tc条件下），使其能够在较高电流情况下稳定运行。
• 驱动电压（Vgs）: 最大Rds On下的驱动电压为5V和10V，提供灵活的驱动选择。
• 导通电阻（Rds On）: 最大值100毫欧（在10V和7.8A下），确保低能量损耗和较高的效率。
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值2V（@250µA），保证了在较低门电压下就能够导通，便于驱动设计。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为18nC（@5V），有助于实现快速开关，降低转换损耗。
• 输入电容（Ciss）: 最大值870pF（@25V），确保在高频应用中的稳定性和响应速度。

包装和封装

FQD19N10LTM采用TO-252封装（DDPAK-3），这是一个表面贴装型的器件，适合自动化焊接和紧凑型板设计。同时，D-Pak封装还具有良好的散热性能，能够在高负载下有效地 dissipate 热量，提高器件的性能和可靠性。

工作环境

该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），使其能够在苛刻的环境条件下稳定工作，适合高温及低温环境下的应用需求。此外，FQD19N10LTM还具备较高的功率耗散能力，最大能耗为2.5W（Ta）和50W（Tc），非常适合各类工业与消费类电子产品。

应用领域

FQD19N10LTM广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器及电源模块，确保高效的电能转换和管理。
2. 马达驱动：可用于驱动直流电动机和步进电机，增强电机的性能和响应速度。
3. 自动化设备：在自动化和工业控制系统中用于信号驱动和控制信号放大。
4. 汽车电子：适合用于车载电源系统和动力管理，满足汽车行业的高标准性能要求。
5. 可再生能源：在太阳能逆变器和电池管理系统中，也能找到该器件的身影，以优化能量转换效率。

竞争优势

FQD19N10LTM具有与市场上同类产品相比的显著优势：

• 低导通电阻：提供更高的效率和更低的热阻，使得系统设计更为安全和稳定。
• 高电流承载能力：能承受的电流和电压使其在高负载和强负载条件下也能稳定工作。
• 广泛的工作温度范围：让它在各类环境条件下表现出色，增加了设计的灵活性和应用的多样性。

总结

FQD19N10LTM是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET。考虑到其高电流和高电压能力、优越的导通性能与广泛的工作温度范围，这款MOSFET在今日高速发展的电子行业中，正迅速成为设计师和工程师们的重要选择。