MBR20200CTG 产品概述

一、产品简介

MBR20200CTG 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双肖特基势垒整流器，封装为 TO-220，适用于中等功率整流与续流场合。器件在宽温度范围（工作结温 -65℃ 至 +175℃）内稳定工作，单片包含两只肖特基二极管，型号后缀“CTG”常见为共阴极配置，便于电源输出整流和桥式整流等应用。

二、主要特点

• 低正向压降：Vf ≈ 900 mV @ 10 A（典型工况），降低整流损耗与发热。
• 良好浪涌能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 150 A，能承受瞬态冲击。
• 充足的额定电压与电流：直流反向耐压 Vr = 200 V，整流电流等级 10 A（每支）。
• 低电流漏泄：反向电流 Ir ≈ 1 mA @ 200 V（受温度影响显著）。
• 宽工作结温：-65℃ 至 +175℃，适应严苛环境。
• TO-220 封装：便于散热器安装与机械固定。

三、典型电气参数（关键项）

• 正向压降（Vf）：900 mV @ IF = 10 A
• 连续整流电流：10 A（单只）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：150 A
• 直流反向耐压（Vr）：200 V
• 反向电流（Ir）：1 mA @ 200 V
• 工作结温范围：-65℃ 至 +175℃

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输出整流与续流二极管
• 逆变器与电机驱动中的自由轮二极管
• 电池充放电与电源保护电路
• 直流母线保护与反向极性防护
• 工业电源与通信基站整流模块

五、封装与热管理

TO-220 封装便于通过螺栓将铜基或铝基散热片紧固实现高效散热。设计时建议关注结-壳与结-环境热阻，估算在10 A 连续工作下的压降损耗与温升，并选择合适散热面积或风冷方案。如果在高温或高负载工况并联使用，多片器件应采用电流共享设计并注意引线与热阻匹配。

六、选型与使用注意

• 若对正向压降有更严格要求，可考虑低 Vf 的肖特基或并联降低压降，但需注意均流与寄生电感。
• 反向漏电随温度上升显著增加，高温环境下应评估漏电对系统的影响。
• 峰值浪涌能力高，但反复大浪涌可能缩短寿命，须考虑浪涌抑制或软启动措施。
• 确认所需的二极管配置（共阴极或独立）以匹配电路拓扑，避免接线误用。

总结：MBR20200CTG 在中高压（200 V）、10 A 级别应用中以其较低的正向压降、良好的浪涌能力和宽温度范围提供可靠的整流解决方案，适合开关电源输出、续流与保护电路等多种工业应用。