CL21A106KBYQNNE 产品概述

一、主要特性

CL21A106KBYQNNE 是三星（SAMSUNG）品牌的多层陶瓷贴片电容（MLCC），标称容量 10 μF，公差 ±10%，额定电压 50 V，介质类型 X5R。该系列在中高电压场合能提供较大的电容量，适合为电源与模拟电路提供去耦与储能作用。X5R 介质在宽温度范围内具有较好的容量保持性，常用于需要体积与容量平衡的设计中。

二、结构与封装

该器件为 0805（公制约 2012）贴片封装，尺寸小，便于高密度布板与自动贴装。MLCC 采用多层陶瓷叠层工艺实现较高的体积容量比，适合空间受限但需较大电容值的设计。具体尺寸与焊盘推荐应参照厂商数据表以保证焊接可靠性与机械强度。

三、性能注意事项

• X5R 介质：典型工作温度范围可达 -55°C 到 +85°C，温度变化会引起电容随温度偏移（详见厂家曲线）。
• 直流偏置效应：高介电常数陶瓷在加一定直流电压时电容会显著下降，尤其在接近额定电压时，请参考数据表中的 DC-bias 曲线并在应用中留有裕量。
• 损耗与等效串联电阻（ESR）：MLCC 通常具有较低 ESL，但 ESR 与频率、温度相关，具体值以产品规格书为准。

四、典型应用

• 开关电源输入/输出去耦与储能（buck/boost、LDO 辅助）
• 电机驱动、功率放大器的本地去耦与纹波抑制
• 工业与通信设备中的滤波与旁路
• 对体积有要求的便携或嵌入式设备电源管理

五、使用与布局建议

• 尽量将电容靠近供电引脚放置，缩短回流路径并增加旁路效果。
• 对于高电流或高频应用，可并联小电感/低 ESR 的电容以优化频响。
• 焊接时遵循厂商的回流温度曲线与洗板建议，避免强烈弯曲或机械应力导致电容裂纹。
• 在高温或振动环境下考虑加固与热膨胀匹配。

六、可靠性与选型提示

三星的 MLCC 产品在制造与可靠性控制上具有行业经验，但在实际选型时仍应：

• 查看并参考官方数据手册中的温度特性、DC-bias 曲线和寿命/可靠性测试结果；
• 针对关键电源通道做样机验证，考虑容量裕量与冗余并联以提高可靠性；
• 若需更严格温度系数或更低偏置效应，可考虑 C0G/NP0 或其他介质与更大封装替代。

总体而言，CL21A106KBYQNNE 以 0805 小封装实现 10 μF/50 V 的组合，适用于寻求中高电压下体积效率较高的电源去耦与储能场合；最终应用效果建议结合厂商数据表与实测曲线确认。