型号:

ISC230N10NM6ATMA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8FL
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
ISC230N10NM6ATMA1 产品实物图片
ISC230N10NM6ATMA1 一小时发货
描述:TRENCH >=100V
库存数量
库存:
4214
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.32
5000+
3.2
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@8V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))3.3V@13uA
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
输入电容(Ciss)690pF
反向传输电容(Crss)9.8pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

ISC230N10NM6ATMA1 产品概述

一、产品简介

ISC230N10NM6ATMA1 为英飞凌(Infineon)推出的一款 100V 等级 N 沟道功率 MOSFET,采用 Trench 制程与 TDSON-8FL 封装,面向高电压开关与功率管理应用。器件工作温度范围宽(-55°C 到 +175°C),适应严苛环境下的长时间可靠运行。

二、主要电气参数

  • 漏源电压 Vdss:100V
  • 导通电阻 RDS(on):30 mΩ @ VGS = 8V(典型条件)
  • 连续漏极电流 Id:31 A(封装与散热条件相关)
  • 耗散功率 Pd:48 W(视散热条件而定)
  • 栅极阈值电压 Vgs(th):3.3 V @ 13 µA(表示非逻辑电平门槛,需要合适门极驱动)
  • 总栅极电荷 Qg:7.4 nC @ 10 V(门极驱动能量评估依据)
  • 输入电容 Ciss:690 pF;输出电容 Coss:150 pF;反向传输电容 Crss(Coss):9.8 pF

三、性能特征与优势

  • 导通损耗与开关损耗的平衡:30 mΩ 的低 RDS(on) 在 8V 驱动下保证较低的导通损耗,而 7.4 nC 的中等 Qg 则在驱动功率与开关速度之间提供良好折衷,适合需要高效率与中等开关频率的拓扑。
  • 低 Miller 电容:9.8 pF 的 Crss 有利于降低电压切换期间的 Miller 效应,改善栅极可控性,减小误开关风险。
  • 宽温度适应性:-55°C 至 +175°C 的工作温度范围,使器件适合工业级、户外或高温环境应用。

四、封装与散热注意事项

TDSON-8FL 封装具有小体积且热性能较好的特点,但实际功率耗散能力受 PCB 散热设计影响较大。推荐在功率焊盘下使用大铜箔面积、多通孔热过孔以增强散热;布线时注意缩短栅极与源极回路,避免长回流路径引起寄生电感。

五、典型应用场景与设计建议

  • 48V/12V 系统的同步整流与降压转换器:100V 耐压为多节电池或中高压母线系统提供安全裕度。
  • 工业开关电源与电机驱动:适用于对效率与可靠性有较高要求的场合。
  • 车载电子与能量管理(需按具体车规认证确认):适合 12V/48V 汽车辅助电源及车用电子模块的功率开关。
    设计时建议采用 8–10V 的栅极驱动电压以达到标称 RDS(on);对高频切换场合可结合合适的门极电阻与缓冲驱动以抑制振铃与过冲;对感性负载应配合 TVS 与回路吸收元件进行过压保护。

总结:ISC230N10NM6ATMA1 是一款面向高压、高可靠性应用的 Trench N 沟道 MOSFET,兼顾低导通阻抗与合理开关能量,适用于多种工业与电源管理场景。在实际电路中通过良好的 PCB 散热与门极驱动设计可充分发挥其性能。