1N4937G 产品概述

一、概述

1N4937G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款快恢复、高效率整流二极管，额定整流电流为 1A，反向电压 600V，采用 DO-41 直插封装。该器件在中等开关频率条件下具有较低的正向压降（Vf = 1V @ 1A）和较短的反向恢复时间（Trr = 175ns），适用于需要兼顾开关性能与成本的电源、整流和保护电路。

二、主要特性

• 最大重复工作反向电压（Vr）：600V
• 正向压降（Vf）：1V @ 1A（典型/数据表条件）
• 额定整流电流：1A（连续）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30A（一次性冲击/浪涌能力）
• 反向电流（Ir）：1µA @ 600V（典型/25°C 条件）
• 反向恢复时间（Trr）：175ns（快恢复特性）
• 工作结温范围：-65°C ～ +150°C（Ta 条件下）
• 封装：DO-41（轴向直插）

三、电气与热性能要点

• 导通损耗：在 1A 电流下，正向压降约为 1V，对应耗散功率约为 1W（Pd ≈ Vf × I）。长期工作时需考虑热量的散出与封装的环境温度（Ta）对结温（Tj）的影响。
• 漏电随温度上升显著增加：数据表中 Ir=1µA 是在典型室温下测得，高温时反向漏电流可能增加几个数量级，影响高压不导通条件下的功耗与热稳定性。
• 浪涌能力：30A 的非重复峰值浪涌可应对电源初级充电、电容器充放电等短时冲击，但该能力受脉冲宽度和封装散热限制，不能作为连续工作能力。
• 速度与频率适应性：Trr=175ns 属于快恢复，但并非超快（ultrafast）或肖特基级别；适合几十 kHz 量级的开关电源和整流场合，若工作频率更高或要求更低的开关损耗，应考虑更低 Trr 的器件或肖特基二极管。

四、典型应用场景

• 开关电源整流（中等频率）
• 功率因数校正（PFC）电路中的缓冲或回馈路径（视具体频率与损耗预算）
• 逆变器/驱动器的续流二极管（freewheeling）
• 工业电源、充电器、适配器、电视及消费类电子的高压整流
• 抗浪涌与钳位电路（配合限流、电阻或 RC 抑制网络）

五、设计与使用建议

• 熱设计：在 PCB 设计时，应为 DO-41 引脚预留足够的散热铜箔面积，必要时在引脚处添加散热垫或使用空气流动散热。长期接近 1A 连续工作应做热仿真与实测。
• 反向漏电注意：在高温或长期高压工作下，反向漏电会明显增加，对高阻电路或高压检测回路需谨慎评估。
• 抑制反向恢复尖峰：在重复高 di/dt 场合，可在二极管并联 RC 振荡抑制网络或限流电阻，以减少 EMI 与过压应力。
• 浪涌保护：Ifsm 为非重复指标，不应用于频繁的浪涌场合；若电路存在大量浪涌事件，应选用额定浪涌更高或专用抑制元件。
• 替换与兼容：1N4937G 可作为常用 1A、600V 快恢复二极管的替换，注意对比 Vf、Trr、Ir 与封装一致性。

六、封装与可靠性

• DO-41 轴向封装便于手工装配与通孔焊接，适合维修和样机开发。
• 在潮湿或腐蚀性环境下应用时，应考虑表面清洁与防护涂层，防止引脚氧化影响焊接可靠性。
• 建议遵循安森美提供的焊接温度曲线和存储/回流规范，以保证器件长期稳定性。

七、总结

1N4937G 是一款针对中等频率开关场合设计的 600V、1A 快恢复整流二极管，具有较低正向压降（1V@1A）和可接受的反向恢复时间（175ns），并在 DO-41 封装下提供良好的浪涌承受能力（30A 非重复峰值）。对于需要在成本与性能之间取得平衡的电源、整流与保护电路，它是一个常用且可靠的选项。设计时应关注热耗散、漏电随温度上升的影响以及在高频或高浪涌场合的额外保护措施。