ON Semiconductor 1N5404RLG 产品概述

一、基本简介

1N5404RLG 是 ON Semiconductor（安森美）提供的一款通用整流二极管，采用 DO-201AD 轴向封装，面向需要稳健高电压耐受和中等电流整流能力的功率电路。其主要电气参数为直流正向整流电流 3A，直流反向耐压 400V，正向压降约 1.0V（在 3A 时），非重复峰值浪涌电流可达 200A，结温工作范围宽 (-65℃ ~ +150℃)，反向漏电流在 Vr=400V 时典型为 10μA。该器件定位为经济、可靠的通用整流元件，适合传统线性或低频开关电源、整流桥和保护回路等应用。

二、电气与热特性要点

• 正向电流（If）: 额定直流整流电流 3A（在规定冷却/散热条件下）；注意长期满载时需保证良好散热。
• 正向压降（Vf）: 约 1.0V @ 3A；因此在最大额定电流下损耗约为 3W（P = Vf × I），应把功率损耗计入热设计。
• 峰值冲击电流（Ifsm）: 非重复峰值浪涌电流 200A（典型按半正弦 8.3ms）；能承受短时启动或充电电容时的浪涌，但不适合反复大幅冲击。
• 反向耐压（Vr）: 400V；适合中高压整流场合。
• 反向电流（Ir）: 约 10μA @ 400V（温度会显著影响反向漏电，应在高温环境下关注漏电上升）。
• 工作结温: -65℃ ~ +150℃，在极端环境下仍具可靠性，但电气参数（如 Ir、Vf）会随温度变化，要在设计中考虑热漂移和降额。

三、封装与机械特性

1N5404RLG 使用 DO-201AD 轴向封装（直径较大的玻璃/树脂封装轴向二极管常见形式），适合点焊或手工/机器插件。轴向封装便于在通用功率模块、整流桥或散热结构中并排布置。安装时需注意：

• 保持引线短且机械固定稳固，避免振动导致疲劳断裂。
• 焊接温度与时间应遵循厂家推荐，避免长期高温破坏封装和密封性——具体焊接规范请参照官方数据手册。

四、应用场景与典型用途

• 线性电源整流（桥堆整流或单向整流）；
• 通用功率供应、适配器与充电器（中低频）；
• 逆变器、马达驱动保护、回生吸收及跃变抑制电路中作整流或钳位；
• 极性保护、自由轮回路（注意开关频率限制）；
• 工业设备与仪器中对高压整流的稳健需求场合。

注意：作为通用整流二极管，1N5404RLG 为“慢恢复”特性，不适用于高频快速开关场合（如 MHz 级开关电源）。高频开关应用应优先考虑快速恢复二极管（FRD）或肖特基二极管。

五、设计与使用建议

• 散热管理：在额定 3A 工作下，器件自身会产生较大热量，建议在布局时为二极管附近提供充足的空气对流或金属散热体/导热路径；多只并联使用时需注意电流分享与引线电阻匹配。
• 浪涌能力：若电路存在频繁大幅冲击，应评估 Ifsm 与实际浪涌条件，必要时增加限流元件（NTC、热熔丝、限流电阻）或选用更高峰值能力的器件。
• 温度影响：反向漏电流随温度上升显著增加；在高温环境或高 Vr 条件下需确认漏电是否影响系统性能或安全。
• 焊接与存储：避免超出数据手册中的焊接峰值温度；在高湿环境下存储时注意包装防潮，防止焊接缺陷。

六、替代与选型注意

1N5404RLG 的同类替代器件包括其他品牌的 3A、400V 级别整流二极管。选型时关注关键参数：Vf@If、Ifsm（浪涌能力）、Ir@Vr 与结温范围、封装形式以及是否需要快速恢复或低漏电等特性。若需要更低正向压降或更快恢复，应考虑肖特基或快速恢复二极管；若关注更高浪涌能力可选更大功率封装或并联设计。

结论：1N5404RLG 是一款结构简单、参数均衡的通用整流器件，适合多种中低频整流和保护应用。在实际设计中应结合散热、浪涌与温度特性做降额与保护措施，以保证长期可靠运行。若需精确焊接、封装或无铅合规信息，请参考 ON Semiconductor 官方数据手册与器件标注。