IPAN70R360P7S 产品概述

一、规格概览

IPAN70R360P7S 为英飞凌（Infineon）推出的高压功率MOSFET（N沟增强型），适用于交流-直流和开关电源前端场合。主要参数如下：

• 漏源耐压 Vdss：700 V
• 连续漏极电流 Id：12.5 A
• 导通电阻 RDS(on)：300 mΩ @ Vgs=10 V
• 阈值电压 Vgs(th)：3 V @ Id=0.15 mA
• 总栅电荷 Qg：16.4 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：517 pF，输出电容 Coss：11 pF
• 耗散功率 Pd：26.5 W
• 工作温度：-40 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：TO-220FP-3（绝缘型或全封装散热形式）

二、主要特性与优势

该器件属于700V等级的中高压MOSFET，RDS(on) 在10V栅压下为300 mΩ，适合高压开关场合对导通损耗和耐压的平衡要求。较小的Coss（11 pF）有利于降低开关翻转期间的电容充放电损耗，Q g 适中，便于用常规栅极驱动器驱动。工作温度范围宽，能满足工业级和电源级的严苛环境。

三、驱动与开关性能要点

由于Vgs(th) ≈3 V（测试电流0.15 mA），器件并非严格的“低电平栅”逻辑MOSFET，推荐使用10–12 V的门极驱动电压以实现标称RDS(on)。栅极电荷Qg=16.4 nC 表明在中频率范围内（例如几十到几百kHz）门极驱动功率不大，但瞬态驱动电流峰值由驱动器输出能力及栅阻决定，应选用合适的栅阻（典型 10–100 Ω）以控制dv/dt 和振铃。建议在门极加装12–15 V电压钳位或齿形保护，防止过压。

四、热管理与可靠性

TO-220FP-3 封装提供便捷散热面，但在高功耗或连续工作场景下仍需外接散热器或考虑热阻与结-壳温度管理。最大功耗 ~26.5 W 在无散热条件下有限制，设计时按实际结温与散热条件计算安全余量。高温工作时 RDS(on) 会上升，应在热设计中预留裕量。

五、典型应用建议

• 离线开关电源（主开关、辅助开关）
• 功率因数校正（PFC）前端及续流回路（中低功率级）
• LED 驱动与高压电源转换器
• 工业电源与小型逆变器的高压侧开关

六、设计注意事项

布局上尽量缩短栅极回路和漏源回路的寄生电感，门极加串联电阻与并联TVS/瞬态吸收器以抑制过冲及高dv/dt。根据开关频率计算门极驱动器功率（Ig ≈ Qg × f），并为热失控与短路场景设计过流保护与热关断策略。

总结：IPAN70R360P7S 在700V等级中提供了平衡的导通电阻与开关性能，适合中高压开关电源与工业电源应用。合理的栅驱、良好的热设计与保护电路是发挥其可靠性与效率的关键。