NST3904DP6T5G 产品概述

一、产品简介

NST3904DP6T5G 是一款由 ON (安森美) 提供的 NPN 小信号双极结晶体管，面向通用开关与低功率放大应用。器件在小封装（SOT-963-6）中实现 350mW 的耗散能力，集电极电压承受能力达到 40V，最大连续集电极电流为 200mA。典型直流电流增益 hFE 为 100（条件：Ic=10mA、Vce=1.0V），并且在高频时的特征频率 fT 达到 200MHz，适合于中高频小信号电路。

二、主要性能要点

• 晶体管类型：NPN BJT
• 直流电流增益：hFE = 100 @ Ic=10mA, Vce=1.0V
• 最大集电极电压：Vceo = 40V
• 最大集电极电流：Ic = 200mA
• 耗散功率：Pd = 350mW（注意封装和环境散热条件）
• 集电极截止电流：Icbo = 50nA（典型）
• 射基极击穿电压：Vebo = 6V
• 饱和电压：VCE(sat) ≈ 400mV（饱和状态参考）
• 特征频率：fT = 200MHz
• 工作温度范围：-55℃ ～ +150℃
• 封装：SOT-963-6

三、典型应用场景

• 小信号放大器：适用于音频前级、传感器信号调理等低功耗放大场合。
• 开关驱动：可作为低电流开关或驱动下一级功率管、继电器驱动电路的一部分。
• 高频信号应用：fT=200MHz 使其在射频前端、差分放大和快速数字电路中有一定应用空间（需按频率响应和增益余量设计）。
• 通用电子设备：消费电子、工业控制、仪器仪表等对小尺寸封装和中等电流有需求的场景。

四、设计与使用建议

• 热管理：Pd=350mW 为器件在规定环境下的最大耗散，实际应用中应考虑 PCB 热阻、铜箔散热以及环境温度对结温的影响，必要时在 PCB 走宽大铜箔或加散热铺铜。
• 偏置与线性度：在放大工作点选择时，应以 Ic=几 mA 至几十 mA 范围内获取稳定 hFE；hFE 随电流和温度变化，应在设计中留有裕量。
• 饱和与开关：若用于开关工作，注意 VCE(sat) ≈ 400mV 将带来功率损耗，且饱和特性与基极驱动电流密切相关，应保证充分的基极过驱动以降低饱和电压。
• 耐压与稳健性：Vebo=6V 要求基极对发射极反向电压受限，避免超出该值以防损伤。Icbo=50nA 表示截流小，长时间高温下漏电流会增加，需关注温漂影响。
• 高频性能：在接近 fT 的频段应用时，应采取良好的布局、最短引线和合适的旁路电容，以维持稳定增益和相位裕量。

五、封装与选型注意

SOT-963-6 小封装适合空间受限的应用，选型时应确认 PCB 封装尺寸与焊盘设计匹配，并参考供应商提供的封装图和回流焊温度曲线。对于需要更高功率或更低温升的场合，应考虑更大封装或带散热的替代器件。

六、总结

NST3904DP6T5G 是一款面向通用小信号和开关应用的 NPN 晶体管，兼顾中等电流能力与较高的频率响应。合理的热设计、基极驱动和电路布局是发挥其稳定性能和延长寿命的关键。在设计环节应依赖完整的器件资料（Datasheet）进行详细验证和工程确认。