SBC847BLT1G

产品概述：SBC847BLT1G

简介

SBC847BLT1G是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的NPN型双极性晶体管（BJT），该器件专为高效、可靠的电子电路应用而设计。其小巧的SOT-23-3（TO-236）封装不仅占据了较小的板空间，更使得其在各种电子设备中的集成变得得心应手。SBC847BLT1G具备优良的电气性能和宽广的工作温度范围，适用于各类自动化、通信、计算机、消费电子和工业控制应用。

主要参数

SBC847BLT1G的主要电气参数如下：

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流（Ic）最大值：100mA
• 集射极击穿电压（Vceo）最大值：45V
• 饱和压降（Vce(sat)）最大值：600mV（在5mA和100mA时）
• 集电极截止电流：15nA（ICBO）
• 直流电流增益 (hFE)：最小值为200（在2mA和5V条件下）
• 功率最大值：300mW
• 频率跃迁：100MHz
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装：SOT-23-3（TO-236）

性能特点

1. 高电流增益：SBC847BLT1G在低电流条件下（例如2mA）下仍然能够提供200以上的直流电流增益。这使得其在能够用小输入信号控制大输出信号，从而提高了电路的效率。

2. 低饱和压降：在高频和高电流应用中，饱和压降对功耗影响显著。SBC847BLT1G在5mA与100mA工作下，提供低于600mV的饱和压降，确保了更高效率的能量转换和发热控制。

3. 宽广的工作温度范围：SBC847BLT1G的工作温度范围从-55°C到150°C，符合严苛环境下的应用需求，确保其在高温或低温环境中仍能稳定工作。

4. 超低集电极截止电流：ICBO高达15nA，这意味在关机或休眠状态时，该器件的漏电极限极低，有助于减少电源消耗，增加整体系统的能效。

5. 小型封装：SOT-23-3封装的选择，方便了表面贴装技术（SMT），可以在空间有限的情况下轻松集成，提高了生产效率和设备结构的紧凑性。

应用场景

SBC847BLT1G由于其多项优越特性，广泛应用于如下场景：

• 开关电路：其低饱和压降和高电流增益使其非常适合用于开关控制电路中。
• 放大器：可以用作音频和射频放大器的构件，帮助增强信号的强度。
• 脉冲信号处理：由于其高频响应能力（跃迁频率高达100MHz），非常适合用于数字电路中的脉冲信号处理。
• 电流驱动：适合作为小型马达或继电器的控制驱动器，在自动控制系统中实现开关功能。
• 通信设备：适用于各种无线和有线通信的信号放大和处理。

结论

综上所述，SBC847BLT1G晶体管凭借其优秀的电气性能、宽温度范围及小巧的封装，成为现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是用于开关信号、放大器的构建，还是在各种电子设备中提供高效率的电流控制，其表现均能满足严苛的使用要求。选择SBC847BLT1G，将为您的电子产品性能和可靠性提供坚实的基础。