SBAS20HT1G

SBAS20HT1G 产品概述

一、基本信息

SBAS20HT1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的标准型开关二极管，封装类型为 SOD-323。这款二极管设计用于高效的开关应用，能够承受最大反向电压为 200V，适合广泛的电子设备和电路设计需求。其主要参数包括：

• 最大直流反向电压 (Vr): 200V
• 平均整流电流 (Io): 200mA (DC)
• 正向电压 (Vf): 1.25V @ 200mA
• 反向恢复时间 (trr): 50ns
• 反向泄漏电流: 1µA @ 200V
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

二、应用场景

SBAS20HT1G 是一款理想的选择，适用于以下几种应用场景：

1. 开关电源：在开关电源设计中，快速开关和低正向压降的二极管能够有效提高转换效率和降低热损失。

2. 电气保护：其高反向电压能力使其适合在电气设备中用作保护二极管，防止过电压损害其他电子器件。

3. 信号整流：在信号处理电路中，它可以用作小信号整流，良好的反向恢复时间确保高频信号的有效传输。

4. 低电流应用：在一些低电流电路中，SBAS20HT1G 提供稳定和可靠的整流性能，尤其适合消费电子及便携式电子设备。

三、技术参数详解

1. 反向电压 (Vr)：200V 的反向电压能力，使得这款二极管可以广泛应用于高压环境。适用于耐高压应用场合，确保在突发情况下的安全性。

2. 整流电流 (Io)：具有 200mA 的平均整流电流能力，适用于多种要求的电流整流应用，且在使用过程中能保持出色的性能。

3. 正向电压 (Vf)：在 200mA 负载下，1.25V 的正向压降使得 SBAS20HT1G 在功率损耗方面保持较低水平，这在高效率电源和信号处理电路中至关重要。

4. 速度和恢复时间 (trr)：具有 50ns 的反向恢复时间，非常适合应用在高频率电路设计中，避免信号失真和确保快速响应。

5. 反向泄漏电流：在 200V 的反向偏置下，反向漏电流低至 1µA，这意味着在待机状态下二极管具有极低的功耗，提高了整体能效。

6. 温度范围：工作温度范围宽广，可从 -55°C 到 150°C，适应各种环境条件，确保在极端温度下的可靠性和稳定性。

四、封装与安装

SBAS20HT1G 采用 SOD-323 封装，表面贴装类型设计，适合现代自动化生产流程。SOD-323 封装体积小，适合当今对紧凑型设计需求日益增长的电子设备。其良好的热性能和电气特性使得该二极管即使在高功率应用中也能可靠工作。

五、总体评价

SBAS20HT1G 是一款功能强大且灵活的开关二极管，由于其高反向电压能力、低正向压降和良好的高速性能，它在开关电源、信号整流及电气保护等领域受到广泛欢迎。安森美品牌的质量保证使其成为一款值得信赖的电子元器件，为复杂电路设计提供了强大的支持。考虑到其多样化的应用前景和优良的性能特性，SBAS20HT1G 是许多电子设计师和工程师的首选元器件之一。