FDC655BN 产品概述
概述
FDC655BN 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET),专为需要高性能和高效率的电子应用而设计。其最大漏源电压为 30V,支持的连续漏电流可达到 6.3A,适用于各种电子电路和功率管理应用。这款 MOSFET 采用 SuperSOT™-6 表面贴装封装,具有良好的散热性能和较小的占用空间,适合现代高密度电路设计。
关键参数
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):最高 30V
- 连续漏极电流(Id):在 25°C 时最大 6.3A
- 驱动电压(Vgs):支持最大 Rds On 的驱动电压为 4.5V 至 10V
- 导通电阻(Rds On):在 10V 和 6.3A 时,最大值为 25 毫欧
- 阈值电压(Vgs(th)):1.8V 至 3V @ 250µA
- 栅极电荷(Qg):在 10V 时最大值为 15nC
- 栅源电压(Vgs max):±20V
- 输入电容(Ciss):在 15V 时最大值为 570pF
- 功率耗散(Pmax):最大功耗为 1.6W
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C
- 封装形式:SuperSOT™-6
应用场景
FDC655BN MOSFET 的设计使其非常适合在以下领域中应用:
- 开关电源:可用于电源转换器和适配器中,作为高效开关元件提供优良的能量转换效率。
- 电机控制:在电动机驱动电路中有效控制电流,提升电动机的性能表现,改善运动控制的精度。
- LED 驱动:适合用作 LED 灯具的驱动电路中,提供稳定的电流输出以确保 LED 光源的亮度一致性。
- 耗能监控设备:由于其优良的导通特性和操控可玩性,广泛应用于需要及时响应和监控的能量管理系统中。
性能优势
FDC655BN 的技术特点使其在竞争激烈的市场中脱颖而出:
- 高效性:低 Rds On(25 毫欧)和低栅极电荷(15nC)使得 FDC655BN 在开关频率高的应用中具备卓越的性能,能够有效减小能量损耗。
- 高温稳定性:宽工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 确保了其在极端环境下的可靠性,适合汽车、工业控制等领域的应用。
- 优化设计:SuperSOT™-6 封装设计不仅提高了散热能力,同时减小了器件的占用空间,便于在现代高集成度电路中使用。
结论
总之,FDC655BN N 通道 MOSFET 是一款集高效率、可靠性与灵活性于一体的优秀电子元件。其卓越的技术特性和多样的应用范围,使其成为工程师和设计师进行现代电子设计时的必备选择。无论是在开关电源、电机控制,还是在 LED 驱动和能耗监控设备中,FDC655BN 都能够提供高效的解决方案,满足不同应用对于性能的苛刻要求。