描述：场效应管(MOSFET) 2W 12V 5A 1个P沟道 SOT-23
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1.55
750+
1.39
1500+
1.31
3000+
1.24
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@4.5V,3.5A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)870pF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)240pF@6V
工作温度-55℃~+175℃
产品概述：SQ2315ES-T1_GE3
概述
SQ2315ES-T1_GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 P 通道 MOSFET，采用 SOT-23-3（TO-236）封装。这款元器件设计用于具有低导通电阻和高效能的应用，适合多种电子电路中作为开关或线性放大器使用。其工作电压范围和高温耐受性使其成为在各种环境中均可使用的理想选择。
基本参数
- FET 类型：P 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- 25°C 下的连续漏极电流 (Id)：5A (Tc)
- 最大 Rds On 时间的驱动电压：1.8V，4.5V
- 导通电阻 (最大值)：50 毫欧 @ 3.5A，10V
- Vgs(th)（最小值）：1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) （最大值）：13nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 输入电容 (Ciss)：870pF @ 4V
- 功率耗散（最大值）：2W (Tc)
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
封装与安装
SQ2315ES-T1_GE3 的封装为 SOT-23-3，这是一种常见的表面贴装型封装，适合自动贴片和手动焊接。SOT-23-3 封装的优点在于其体积小巧，有助于降低电路板的总体尺寸，从而实现更紧凑的设计。
应用场景
SQ2315ES-T1_GE3 可广泛应用于：
电源管理：作为开关电源中的主要开关元件，提供高效的电能转换。
负载开关：在各类电子设备中用于控制负载的开启和关闭。
汽车电子：适用于电动车辆、车载电源和控制模块等高温环境下的应用。
消费电子：如手机、平板电脑及其他便携式设备的电源管理和信号调节电路。
工业自动化：在自动化控制系统中，作为驱动和控制元件。
由于其低导通电阻和长寿命，SQ2315ES-T1_GE3 适合需要高效能和高可靠性的系统，尤其是在功率损耗和温度控制要求严格的场合。
性能优势
- 低导通电阻：50 毫欧的最大导通电阻使得这款 FET 数据传输效率高，降低了功率损耗。
- 高温耐受性：可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，适应各种苛刻环境。
- 高效的栅极驱动：低栅极电荷意味着可以用较小的驱动信号实现高效开关，这提高了电路的响应速度。
- 紧凑的封装：SOT-23-3 封装不仅小巧，还便于在高密度电路板布局中，占用更少的空间。
结论
SQ2315ES-T1_GE3 是一款多功能、高性能的 P 通道 MOSFET，适合于电源管理、负载开关及多种领域的工业和消费应用。其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，使其在现代电子设计中成为理想的选择。随着电子产品对高效能和高可靠性需求的不断增长，SQ2315ES-T1_GE3 的应用前景非常广阔，是值得信赖的电子元器件。