NVMFS5C426NAFT1G

产品概述：NVMFS5C426NAFT1G

一、产品简介

NVMFS5C426NAFT1G 是 ON Semiconductor 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管)，专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 具有优越的电流处理能力和广泛的工作温度范围，适合各类高效能电源管理与驱动场合。

二、基本参数

• 制造商：ON Semiconductor
• 系列：Automotive, AEC-Q101
• 封装类型：表面贴装，采用5-DFN（5x6）封装。
• 零件状态：有源
• FET 类型：N 通道
• 功率耗散：最大 3.8W（环境温度下），最大 128W（芯片温度下，Tc）。
• 工作温度范围：-55°C 至 175°C
• 漏源电压 (Vdss)：40V
• 连续漏极电流 (Id)：41A（在环境温度下），235A（在芯片温度下）
• 导通电阻：在 10V 驱动下，50A 时最大 1.3 毫欧。
• 栅源电压 (Vgs)：最大 ±20V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 3.5V（@250µA）

三、特性及性能

NVMFS5C426NAFT1G 具备极低的导通电阻，能够在高电流条件下有效降低功耗，提高系统整体效率。其高达 41A 的持续电流能力使其在大多数应用场景下表现出色，尤其是在动力管理和电机控制中。此外，其最大 40V 的漏源电压确保该元件能够满足多种电气环境下的严苛要求。

此 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其在苛刻的汽车环境中仍能稳定工作，适用于各种恶劣条件。结合高达 128W 的功率耗散能力，这使得 NVMFS5C426NAFT1G 成为高功率应用的理想选择，能够应对电流突发的挑战。

四、应用领域

NUVMS5C426NAFT1G 的主要应用领域包括：

• 电动车/混动车辆：用于电池管理系统和电动机驱动控制。
• 车载充电器：在车载充电器和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
• 高功率电子设备：适用于需要高效电源供应的各种电子设备。
• 电源管理：在各种电子系统中，用于功率开关和电能管理。

五、封装信息

NVMFS5C426NAFT1G 采用 5-DFN（5x6）封装，这种小型化设计使得它非常适合空间有限的应用，此外，表面贴装技术也为工业自动化和大规模生产提供了便利。其封装具备良好的热管理能力与更低的电感特性，进而提高了整体性能。

六、总结

整体而言，NVMFS5C426NAFT1G 是一款在高电流、高功率及恶劣环境下工作出色的 N 通道 MOSFET 解决方案，适用于广泛的汽车及工业应用。凭借 ON Semiconductor 的质量保证和设计支持，这款元件为工程师和设计师提供了值得信赖的选择，以满足其产品对效能、效率和坚固性的需求。无论是在电源管理、动力控制或是其他应用领域，NVMFS5C426NAFT1G 都能为用户提供可靠的性能和极高的灵活性。