型号:

NSV60600MZ4T3G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223-4
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
NSV60600MZ4T3G 产品实物图片
NSV60600MZ4T3G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 800mW 60V 6A PNP SOT-223-3
库存数量
库存:
3975
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.09
100+
1.67
1000+
1.49
2000+
1.41
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)6A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)70@6.0A,2.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)350mV@6.0A,0.6A
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:NSV60600MZ4T3G PNP 三极管

一、产品简介

NSV60600MZ4T3G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能 PNP 型三极管,以其出色的电气特性和广泛的应用场景而受到广泛关注。该器件采用 SOT-223-4 封装,适合表面贴装,设计紧凑,便于集成在各种电子电路中。作为一款高效能的晶体管,NSV606 在电流和电压的管理上表现卓越,满足高负载和高频应用的需求。

二、主要特性

  1. 电流和电压性能

    • 集电极最大电流(Ic):6A,确保在高负载应用中提供可靠的性能。
    • 集极-发射极最大耐压(Vce):60V,适用于多种中低压电源管理电路。
    • 饱和压降(Vce(sat)):在 600mA 和 6A 的工作条件下,可达到 350mV,表现出良好的传导效率。
  2. 频率响应

    • 频率 - 跃迁(fT):100MHz,突显其在高频应用中的良好表现,适合要求快速开关的电路和信号处理应用。
  3. 直流电流增益(hFE)

    • 当 Ic = 1A,Vce = 2V 时,hFE 最小值为 120,确保在整个工作范围内具有良好的增益特性,降低了增益过多变化对电路性能的影响。
  4. 低漏电流

    • ICBO 最大值为 100nA,优秀的漏电流控制使得 NSV606 在功耗敏感的空间内表现出色,适合于移动设备和低功耗电路。
  5. 宽广的工作温度范围

    • 工作温度范围从 -55°C 到 150°C,这一广泛的温度范围使得 NSV606 能够在极端环境中可靠工作,适用于汽车、航空等恶劣环境下的应用。

三、应用场景

NSV606 的设计及其所具有的特性,使其适用于多种应用场景:

  1. 功率放大器:可以用于音频放大器和无线电频率放大器中,支持高电流特性和良好的频率响应。
  2. 开关电路:由于其快速切换特性,适合用于开关电源、继电器驱动及电动机控制电路。
  3. 线性调节器:可作为线性调节器的关键组成部分,实现有效的电压调节和稳定输出。
  4. 灯光控制:在LED照明驱动、背光模块及其他照明应用中充当控制元件。

四、封装和型号信息

NSV60600MZ4T3G 使用 SOT-223-4 封装,这种封装方式便于自动贴装且空间占用小,使得其在紧凑型设计中尤为重要。卷带(TR)包装方式也便于大规模生产的电路板组装。

五、总结

NSV60600MZ4T3G PNP 三极管是一款结合了高电流处理能力、低功耗、高频性能和宽阔温度范围的 versatile 电子元器件。无论是在工业设备、消费电子还是汽车应用中,其可靠性和多功能性使其成为设计工程师在布局电源管理和信号放大电路时值得考虑的重要选项。选择 NSV606,不仅可以提高电子设备的效率,还能显示出设计的专业性和先进性。