产品概述:PLZ3V9B-G3/H 齐纳二极管
产品名称:PLZ3V9B-G3/H
品牌:VISHAY(威世)
封装类型:DO-219AC(microSMF)
安装方式:表面贴装型
1. 基本参数
PLZ3V9B-G3/H 是一款表面贴装型齐纳二极管,主要用于电压稳压应用。其标称齐纳电压为4.03V,额定功率可达960mW,且具备良好的温度特性,工作温度可高达150°C。该器件的阻抗(最大值)为50Ω,具备极低的反向泄漏电流,5µA@1V的规格使得它在高精度应用中表现出色。同时,正向电压(Vf)在10mA条件下为900mV,显示其良好的导通特点。
2. 应用场景
凭借其优异的电气性能,这款齐纳二极管适合于多种电压调节及过电压保护场合。例如:
- 电源管理:用于电源模块的电压稳定,确保输出电压在预定范围内,以保护后续电路。
- 过电压保护:为敏感电子元器件(如微控制器、传感器)提供有效的过电压保护,防止瞬态电压冲击对电路造成损害。
- 信号调理:在信号调理电路中作为稳压元件,确保信号维持在合适范围,提升信号质量。
3. 特性与优势
PLZ3V9B-G3/H 具备多个优势:
- 高温性能:工作温度高达150°C 使得该器件适应于严酷的工作环境,满足高温工作的需求。
- 小型化封装:DO-219AC(microSMF)封装设计使其体积小巧,适合空间受限的应用场景。
- 低反向电流:在仅5µA的反向泄漏电流下,确保在许多高精度应用中不会因泄漏而影响电路的正常工作。
- 高功率处理能力:最大功率为960mW使其适用范围更宽广,同时具备良好的散热性能,提升整体可靠性。
4. 规格总结
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 4.03V
- 功率 - 最大值: 960mW
- 正向电压(Vf): 900mV @ 10mA
- 反向泄漏电流: 5µA @ 1V
- 阻抗(最大值)(Zzt): 50Ω
- 容差: ±3.35%
- 工作温度: 150°C(TJ)
- 封装: DO-219AC(microSMF)
5. 总结
PLZ3V9B-G3/H 齐纳二极管是高效、可靠的电压调节和保护解决方案,特别适合于高温及空间紧凑的电子应用。其稳定的电气性能和小型封装使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。设计者可以利用这一器件来提升电源的栅极稳定性,并在多种电子产品中实现高效的电压管理和过电压保护。凭借其卓越的性能,PLZ3V9B-G3/H 定能够为需求高稳定性的应用场景提供理想的解决方案。