型号:

SIHP22N60E-GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-220-3
批次:22+
包装:管装
重量:2.77g
其他:
SIHP22N60E-GE3 产品实物图片
SIHP22N60E-GE3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 227W 600V 21A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.71
100+
6.53
1000+
6.31
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@10V,11A
功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)86nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.92nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SIHP22N60E-GE3 产品概述

基本信息

SIHP22N60E-GE3 是一款由 VISHAY(威世)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求,适用于功率转换和电子开关等多种工业和消费类电子设备。该器件封装采用 TO-220-3 封装形式,以支持高功率的散热需求,具有良好的散热性能和可靠的电气特性。

关键规格

  • FET 类型: N 通道,能够提供简洁高效的电流流动。
  • 漏源电压 (Vdss): 最大值为 600V,适合高电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时连续电流能力为 21A(在 Tc 条件下)。这使得该器件能够在大负载条件下正常工作。
  • 驱动电压与导通电阻: 最大 Rds(on) 在 10V 施加下为 180 毫欧(在 11A 时测得),具备良好的能量效率和性能。
  • Vgs(th)(栅极阈值电压): 最大值为 4V(在 250μA 测试条件下),指示出启动状态下所需的较低栅极电压。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 86nC(在 10V 下测得),有助于设计更高效的驱动电路。
  • Vgs(最大值): ±30V,增强了该元件的安全性和灵活性。
  • 输入电容 (Ciss): 在 100V 时的最大值为 1920pF,符合高频操作的需求。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 227W(在 Tc 条件下),确保芯片在高负载情况下长时间稳定工作。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(最高结温),使得该器件能够在极端环境下稳定工作。
  • 安装类型: 该元件采用通孔安装方式,方便与多种印刷电路板(PCB)结合。

应用领域

SIHP22N60E-GE3 适用于广泛的应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器等中作为主开关元素,提供高效率的电源管理解决方案。
  • 电动机驱动: 在工业电动机驱动电路中用于控制电机的启停、调速等功能,能够承受高电流,确保平稳运行。
  • 照明应用: 在高功率 LED 驱动器中,能够有效控制电流,提高能效。
  • 大功率变换器: 在电动车辆充电器、太阳能逆变器等领域中提供强大的功率转换能力。

设计与操作

在设计电路时,SIHP22N60E-GE3 的栅极驱动电压需保证能达到所需的驱动效果,以确保 MOSFET 的快速导通与关断。此外,由于其较高的散热需求,在实际应用中,务必考虑有效的热管理措施,例如使用热沉或散热片,以充分发挥其性能。

安全性

SIHP22N60E-GE3 的设计遵循严格的国际标准,确保其在高压高流状态下的安全运行。其±30V 的最大门极电压保证了在高开关频率下的可靠性,可以有效防止门极击穿故障。

总结

作为一款高功率、高效能且具备良好散热性能的 MOSFET,SIHP22N60E-GE3 非常适合各种高电压高电流的应用。不论是在工业自动化、电力电子还是消费类电子产品中,均能够展示其卓越的性能和可靠性。其广泛的工作温度范围和强大的功率处理能力使其成为工程师在设计高效能电子电路中的理想选择。