型号:

IRFS3306TRLPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:D2PAK
批次:23+
包装:编带
重量:1.66g
其他:
IRFS3306TRLPBF 产品实物图片
IRFS3306TRLPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 230W 60V 120A 1个N沟道 TO-263
库存数量
库存:
325
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
8.55
100+
7.25
800+
6.99
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,75A
功率(Pd)230W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@150uA
栅极电荷(Qg@Vgs)120nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.52nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRFS3306TRLPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFS3306TRLPBF 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,旨在满足高效能电力转换和开关应用的要求。该器件采用表面贴装型封装(D2PAK),具有出色的热管理能力和高电流承载能力,使其在各种工业和消费类电子产品中广泛应用。该 MOSFET 具备60V的漏源电压(Vdss)、120A的连续漏极电流(Id),以及可高达230W的功率耗散(Tc),使其成为高功率应用的理想选择。

2. 主要参数特性

  • FET 类型: N 通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss): 60V
  • 连续漏极电流 (Id): 120A (在适当的散热条件下)
  • 驱动电压: 10V(用于最小和最大 Rds On)
  • 导通电阻 (Rds On): 最大值为4.2 毫欧,测试条件为75A,10V Vgs
  • 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V(在150µA时测得)
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为120nC,测试条件为10V
  • 栅源电压绝对最大值 (Vgs): ±20V
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为4520pF(在50V时测得)
  • 功率耗散 (Pd): 最大值为230W(在适当的散热条件下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C(结温 TJ)
  • 封装类型: D2PAK(TO-263-3封装)

3. 应用场景

IRFS3306TRLPBF 适用于需要高效能的场合,包含但不限于:

  • 电源管理: 适合用于开关电源、DC-DC 转换器,能够有效地提高转换效率,减少功耗。
  • 电机驱动: 在高功率电机驱动应用中,该 MOSFET 能够承受大电流,提供高输出来驱动电机。
  • 逆变器: 适用于太阳能逆变器等场合,能够确保稳定的电力转换。
  • 汽车应用: 由于其宽广的工作温度范围,该 MOSFET 适合于汽车电子产品,如电动助力转向系统和充电器。
  • 工业控制: 其高载流能力和耐高温特性,使得 IRFS3306TRLPBF 可以在严苛环境条件下的工业控制应用中表现优异。

4. 性能优势

  • 高效率: 由于其低 Rds On 值,在开关状态下可以显著降低损耗,提高系统的整体效率。
  • 耐高温: 该器件的工作温度范围可以支持-55°C至175°C的复杂环境,确保在不同气候和温度条件下可靠运行。
  • 高功率处理能力: 最大功率耗散达到230W,使其适合在大功率应用中使用,降低因功率损耗而导致的热问题。
  • 易于驱动: 较低的栅极电荷(Qg)和适中的阈值电压(Vgs(th))使得驱动电路设计变得简单,适合于多种控制策略。

5. 封装与散热

IRFS3306TRLPBF 采用 D2PAK 封装,这种封装形式不仅能有效减小电路布局面积,而且具有良好的散热性能,能够在高功率应用中保持器件的低温工作态。D2PAK 封装的设计使得散热片可以直接连接到 PCB 板,为大电流应用提供了必要的热管理。

6. 总结

综上所述,IRFS3306TRLPBF 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压、大电流、低导通阻抗和宽温工作范围,成为现代电力电子应用中的重要选择。用户可以依靠该器件在各类严苛环境下的出色表现,为系统提供稳定和高效的电力管理解决方案。无论是电源转换、电机控制还是工业自动化,IRFS3306TRLPBF 都是值得考虑的优质元器件。