型号:

IRFU9110PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
批次:-
包装:管装
重量:0.92g
其他:
IRFU9110PBF 产品实物图片
IRFU9110PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 25W;2.5W 100V 3.1A 1个P沟道 TO-251AA
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.59
100+
4.67
750+
4.32
1500+
4.11
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,1.9A
功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)200pF
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFU9110PBF 产品概述

IRFU9110PBF 是一款由著名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产的高性能P沟道MOSFET(场效应管)。该器件在电力电子应用中表现出色,广泛应用于电源管理、开关电源及电动机控制等领域。本文将详细介绍该产品的主要参数、应用场景及其优势。

1. 基本参数

  • FET类型:P通道MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):100V,适合高电压应用
  • 最大连续漏极电流 (Id):3.1A(在25°C时的典型工作条件下),能够承受中等负载
  • 驱动电压:通常为10V,这意味着在这个电压下,该MOSFET能够实现最佳导通状态
  • 导通电阻 (Rds On):在1.9A和10V下的最大值为1.2Ω,这使得该器件能够有效降低能量损失
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值为4V(在250µA条件下),此值对于驱动电路设计非常关键
  • 栅极电荷 (Qg):最大值为8.7nC,在10V下,适用于快速开关应用
  • 最大栅源电压 (Vgs):±20V,为设计提供了一定的安全裕度
  • 输入电容 (Ciss):200pF @ 25V,适合于高频应用
  • 功率耗散:可在环境温度下承受2.5W,在结温下承受高达25W,这使得其能够在高功率条件下稳定工作
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ),该器件适用于极端环境
  • 封装类型:TO-251AA,通孔安装,适合各种PCB设计

2. 应用领域

IRFU9110PBF 主要用于:

  • 电源管理:这种MOSFET可用于高效开关电源(SMPS),其高电压和电流能力允许设计紧凑而高效的电源模块。
  • 电动机控制:该器件能够在电动机驱动电路中担当开关元件,有助于实现高效控制与转换。
  • 逆变器:在太阳能发电和UPS系统中,IRFU9110PBF的高功率处理能力能有效提高输出效率。
  • 负载开关:可用于各类负载的切换,起到保护和控制的作用。

3. 设计优势

IRFU9110PBF 提供了一些设计优势:

  • 低导通电阻:低Rds On值确保在开关应用中降低导通损耗,从而提高系统效率。
  • 高耐压能力:100V的Vdss允许它在多种高电压应用中稳定工作,减少了因电压过载而引起的损坏风险。
  • 宽工作温度范围:从-55°C到150°C的广泛工作温度范围使其能够在极端环境下工作,适合一些极端应用,例如汽车电子和军事设备。
  • 小型封装:TO-251AA小型封装设计占用空间小,非常适合紧凑型电路板设计,便于高密度布局。

4. 总结

IRFU9110PBF 是一款性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其高功率处理能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,使其成为电力电子领域的理想选择。随着对电力效率和系统集成度需求的不断增加,该器件在未来的电源管理和开关应用中必将发挥越来越重要的作用。无论是在设计高效电源、控制电动机,还是在开发高稳定性的逆变器,IRFU9110PBF都将是一款值得信赖的解决方案。