FQD3N60CTM-WS

产品概述：FQD3N60CTM-WS

一、基本信息

FQD3N60CTM-WS 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 通道 MOSFET（场效应管），封装形式为 D-Pak（TO-252-3），专为高压应用而设计，具有600V 的漏源电压（Vdss）和最大连续漏极电流（Id）为 2.4A（在 25°C 的结温下）。该器件兼具高效性与可靠性，适用于多种电子电路应用，包括开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高电压、高功率的应用场合。

二、关键参数

1. 漏源电压（Vdss）：600V

   • 适合高压电路设计，能够满足工业和家电设备中的高压应用需求。

2. 连续漏极电流（Id）：2.4A

   • 在工作温度为 25°C 时，器件能够持续承载 2.4A 的电流，保证在大多数应用场景中的稳定性。

3. 导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.4Ω @ 1.2A，10V

   • 导通电阻值较低，有效减少在开关时的功率损耗，提高整体能效。

4. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值4V @ 250µA

   • 此参数表明栅极电压达到4V时，MOSFET开始导通，适合由标准逻辑电平驱动。

5. 栅极电荷（Qg）：最大值为14nC @ 10V

   • 较小的栅极电荷有助于提高开关频率，使其适用于高频应用。

6. 输入电容（Ciss）：最大值为565pF @ 25V

   • 这表明在 25V 输入下，器件具有一定的输入电容，适合快速开关应用。

7. 功率耗散（Pd）：最大值为50W（多个结温条件下）

   • 允许较高的功率耗散，使之可以在高功率应用中正常工作，同时保证器件的热稳定性。

8. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）

   • 广泛的工作温度范围，使其适合用于极端环境条件下的应用。

三、应用领域

FQD3N60CTM-WS MOSFET 由于其优异的性能指标，可以广泛应用于以下领域：

• 开关电源设计：在AC-DC、DC-DC 转换中，具有高电压和高效能的特性，能够有效降低转换损耗。
• 电机驱动：用于驱动直流电机及步进电机，可以提供足够的电流和电压，同时保持低的导通损耗。
• 逆变器应用：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，作为开关元件确保高效转换。
• LED照明：在高功率LED驱动中，适合用于高频开关，以提升总体光效和降低能耗。

四、总结

总的来说，FQD3N60CTM-WS 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，其高漏源电压、较低的导通电阻、以及宽广的工作温度范围，使其成为各种高功率应用的理想选择。安森美在半导体市场的强大实力和技术积累，更加确保了这一器件在工业应用中的稳定性和可靠性。无论是在设计开关电源，还是在驱动电机或******逆变器应用中，FQD3N60CTM-WS 都是一个值得考虑的高性价比选择。