型号:

RRR030P03HZGTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TSMT3
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
RRR030P03HZGTL 产品实物图片
RRR030P03HZGTL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 30V 3A 1个P沟道 TSMT-3
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.42
100+
1.09
750+
0.911
1500+
0.828
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@4.5V,1.5A
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.2nC
输入电容(Ciss@Vds)480pF
反向传输电容(Crss@Vds)70pF
工作温度-55℃~+150℃

RRR030P03HZGTL 产品概述

产品名称: RRR030P03HZGTL
制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
封装类型: TSMT3 (SC-96)
产品类型: P沟道MOSFET
工作温度范围: -40°C至+150°C

一、产品功能与特点

RRR030P03HZGTL是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为汽车应用设计,并满足AEC-Q101汽车行业标准的高可靠性要求。它具备低导通电阻和高功率耗散能力,使其成为各种电源管理、电机控制和负载开关应用的理想选择。作为一款表面贴装型(SMD)器件,RRR030P03HZGTL具有较小的封装尺寸,适合于空间受限的电路设计。

二、技术规格

  1. 电流规格:

    • 连续漏极电流(Id):3A,适用于多种负载情况。
  2. 导通电阻(Rds On):

    • 最大值:75毫欧 @ 3A,10V,确保在启动和运行过程中具有较低的能量损耗。
  3. 门极-源极电压(Vgs):

    • 最大值:±20V,确保设备的可靠性和抗干扰能力。
  4. 阈值电压(Vgs(th)):

    • 最大值:2.5V @ 1mA,能够在较低的栅极驱动电压下有效导通。
  5. 功率耗散:

    • 最大功率耗散:700mW (Ta),确保MOSFET在高温和高功率下的稳定性。
  6. 工作温度限制:

    • 环境温度可达150°C,这一特点使得器件在汽车及工业应用中能够承受严苛的环境条件。
  7. 输入电容(Ciss):

    • 最大值:480pF @ 10V,提供较好的开关性能。
  8. 栅极电荷(Qg):

    • 最大值:5.2nC @ 5V,通过降低驱动电流,减少控制电路的功耗。

三、应用领域

RRR030P03HZGTL 适用于各种汽车及工业电子应用,包括但不限于:

  • 电源管理系统
  • 电动势和电机驱动控制
  • 负载开关及开关电源
  • DC-DC 转换器
  • 车载电子设备

四、主要优势

  • 高可靠性: 作为符合AEC-Q101标准的产品,RRR030P03HZGTL确保不论在汽车还是工业应用中,都能维持长期的性能稳定。
  • 空间节省: TSMT3封装设计使得其适合于现代电子设备中空间受限的应用,简化设计并降低材料成本。
  • 散热能力强: 在高功率和高环境温度下,能够有效抑制温度增高,提升系统的安全性和可靠性。
  • 灵活的驱动电压选择: 支持4V及10V的驱动电压,使其在多种应用场合中具有良好的适应性。

总结

RRR030P03HZGTL是一款创新的高效P沟道MOSFET,凭借其优良的低阻抗特性和高适应性,广泛应用于汽车电子及其他高温环境下的电子控制系统。对于需要高可靠性、高效能和小型化设计的工程师和设计师而言,RRR030P03HZGTL无疑是一个值得考虑的优良选择。