型号:

2SC4081U3HZGT106R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
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2SC4081U3HZGT106R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN SOT-323-3
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0.147
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0.128
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V
特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2SC4081U3HZGT106R

基本信息

型号:2SC4081U3HZGT106R
品牌:ROHM(罗姆)
类型:NPN型三极管
封装:UMT3/SOT-323

2SC4081U3HZGT106R 是一款高性能NPN型晶体管,具有优良的电流增益和较高的工作频率,适合多种电子电路应用。该器件采用表面贴装封装(UMT3),有效节省了电路板的空间,是小型化电子设备的理想选择。

电气特性

  1. 集电极电流 (Ic):该晶体管的最大集电极电流(Ic)为150mA,能够满足大多数小功率信号放大和开关应用。
  2. 集射极击穿电压 (Vceo):最大集射极击穿电压为50V,确保在高电压环境下的安全运行,适合用于电源开关和功率放大电路。
  3. 饱和压降 (Vce(sat)):该器件在不同的基极电流(Ib)下,最大饱和压降为400mV(在5mA与50mA的Ic条件下)。这一指标关乎到在工作状态下的能量损耗,对节能设计非常重要。
  4. 截止电流 (Icbo):集电极截止电流最大为100nA,表明该器件在切断状态下泄漏电流非常小,有利于降低待机功耗。
  5. 直流电流增益 (hFE):在1mA和6V条件下,最小DC电流增益为120。这样的增益特性使其成为放大量信号的合适选择,能够有效放大输入信号。
  6. 功率处理能力:最大功率为200mW,适合在低功耗应用和中等功耗电路中使用。
  7. 频率响应:具有180MHz的频率跃迁,适合高频信号处理,满足高频通信和信号放大的需求。

工作环境和可靠性

  • 工作温度范围:该晶体管的结温为150°C,适合于高温环境下的应用,确保在极端工作条件下依然保持良好的电子性能。
  • 安装类型:表面贴装型(SMD)设计使其易于集成于现代电子设备中,与传统的插装型晶体管相比,具有更好的贴合度和更低的引线电感。

应用领域

2SC4081U3HZGT106R 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 放大电路:用于信号放大器、音频放大器等场合,能够有效提高信号强度。
  • 开关电路:作为开关元件控制电流流向,广泛应用于电源管理、继电器驱动等电路。
  • 通信设备:高频特性使其适合用于无线通讯、RF信号放大等高频应用。
  • 便携式电子设备:由于其出色的功率和空间适应性,适合各种便携式设备的内部电路设计。

结论

总体而言,2SC4081U3HZGT106R 是一款高效能、低功耗的NPN型晶体管,凭借其卓越的电气参数和可靠的工作性能,成为了现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、通信设备还是其他小型化电子应用中,都能提供优越的性能和质量保障,满足各种应用的需求。ROHM作为知名的半导体制造商,为用户提供了这款可靠的晶体管,将是众多设计工程师的优选组件。