型号:

DTC114EU3HZGT106

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
DTC114EU3HZGT106 产品实物图片
DTC114EU3HZGT106 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.227
200+
0.147
1500+
0.128
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-40℃~+150℃

DTC114EU3HZGT106 产品概述

一、产品简介

DTC114EU3HZGT106 是一款高性能 NPN 预偏压数字晶体管,专为高效能、小型化电子设备设计。它采用了紧凑的 SOT-323 封装,适用于表面贴装的应用,以满足现代电子设备对空间和性能的双重需求。该晶体管的主要特性包括高达 100mA 的集电极电流、50V 的集射极击穿电压及高达 250MHz 的频率跃迁,成为广泛应用于通信、消费电子及其他多个领域的理想解决方案。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:DTC114EU3HZGT106 为 NPN 类型的晶体管,采用预偏压设计。这种结构使得元件在驱动和控制电路中更为高效,尤其是在数字电路中。

  2. 电流与电压特性

    • 集电极电流 (Ic):最大可承受 100mA,确保在高负载条件下仍可稳定工作。
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大 50V,为电路提供良好的耐压特性。
    • 电流 - 集电极截止 (Ic(max)):在关断状态下,最大集电极截止电流为 500nA,确保了极低的静态功耗。
  3. 增益特性

    • 电流增益 (hFE):最小 DC 电流增益为 30,在 5mA 集电极电流和 5V 电压下,提供了良好的放大性能。
    • Vce 饱和压降:在 500µA 和 10mA 时最大饱和压降为 300mV,这表明可有效降低开关损耗。
  4. 频率性能:频率跃迁达到 250MHz,使得 DTC114EU3HZGT106 特别适合高频应用,比如 RF 应用和高速开关电路。

  5. 功率规格:该器件具有 200mW 的最大功率处理能力,满足了多种应用场合的需求,并确保在较高工作条件下器件的可靠性。

  6. 电阻器配置:基极和发射极分别具有10 kOhms的电阻,使器件在切换时具有较好的稳定性和响应速度。

三、应用领域

DTC114EU3HZGT106 的高频性能和优异的电气特性使其在以下领域有广泛的应用:

  • 通信系统:可以作为信号放大器或开关器件,用于信号处理和传输。
  • 消费电子:在智能手机、平板电脑等小型设备中,用于驱动和控制显示器、音频和其他外围设备。
  • 传感器与控制设备:由于其低功耗特性,适合用于各种监测和控制系统中的信号处理。
  • 电源管理:在 DC-DC 转换器及其他电源管理电路中,可作为开关元件,实现高效能的电源转换。

四、封装及安装

DTC114EU3HZGT106 采用 UMT3 封装,尺寸小、重量轻,适合自动化贴装工艺。这种封装形式使得元件能够在空间有限的电路板上被集成,符合现代电子设备对高集成度的要求。

五、总结

DTC114EU3HZGT106 是一款兼具高性能与小型化设计的数字晶体管,其优异的电流电压特性、频率响应及低功耗显示出其在多种应用场合中的潜力。凭借 ROHM(罗姆) 的品牌保障和产品质量,该器件无疑为广大工程师和开发人员提供了可靠的解决方案,助力其在高效能电子产品设计中创造更多可能。