型号:

1N4148W-13-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOD-123
批次:25+
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
1N4148W-13-F 产品实物图片
1N4148W-13-F 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 300mA
库存数量
库存:
3383
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0878
10000+
0.072
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流300mA
耗散功率(Pd)400mW
反向电流(Ir)1uA@75V
反向恢复时间(Trr)4ns
工作结温范围-65℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2A

1N4148W-13-F 产品概述

一、概述与定位

1N4148W-13-F(品牌:DIODES 美台,封装:SOD-123)是一款独立式快速开关二极管,兼顾低正向压降与快速反向恢复特性,适用于高频开关、脉冲整形与信号钳位等应用。器件工作结温范围为 -65℃ 到 +150℃,适应宽温环境和工业级应用。

二、主要电气参数

  • 正向压降 Vf = 1.25V @ If = 150mA(用于评估导通损耗与热设计)
  • 最大直流反向耐压 Vr = 100V,适合中高压反向阻断场合
  • 额定整流电流(连续) = 300mA
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 2A(瞬态冲击容忍,非重复)
  • 反向电流 Ir = 1μA @ 75V(低泄漏,利于高阻抗电路)
  • 反向恢复时间 Trr = 4ns(快速恢复,利于高频切换)
  • 耗散功率 Pd = 400mW(热设计与降额基准)

示例热功耗:在 If=150mA、Vf=1.25V 时器件耗散约 0.1875W,仍低于 Pd,留有热裕量;但在高环境温度下应按厂方降额曲线处理。

三、封装与机械特性

SOD-123 小型表面贴装封装,体积小、散热路径有限。封装上常见极性标识(阴极条),便于贴装与检验。适合便携电子、板上空间受限的设计。

四、典型应用场景

  • 逻辑信号开关、脉冲限幅与波形整形
  • 高频脉冲整流与保护电路(如接口防护)
  • 通讯设备与射频前端的快速钳位或恢复需求
  • 测试/测量电路中对低泄漏和快速切换的要求场合

五、设计与使用建议

  • 热管理:SOD-123 封装散热受限,布局时增大顶层/底层铜箔以改善导热;在高温工况应参考厂方的结温-功率降额曲线。
  • 浪涌限制:Ifsm=2A 为非重复峰值,避免重复大幅浪涌,必要时配合熔断器或限流电阻。
  • 高压工作:反向耐压 100V,若电路中存在过压风险,建议加保护元件或降额设计。
  • 高频性能:Trr=4ns 适合高频开关,但在极端高速或驱动条件下仍应做时域仿真与实验验证。
  • 焊接兼容性:遵循 SOD-123 的回流焊温度谱,避免超温造成性能退化。

六、可靠性与选型注意

1N4148W-13-F 提供了低泄漏、快速恢复与中高耐压的平衡特性,适合需要兼顾速度和耐压的设计。选型时应确认工作电流、峰值浪涌、工作温度及散热方案满足实际工况;如需更高电流或更低 Vf,可考虑替代封装或并联器件,但并联需注意一致性和热均衡。

如需样品或完整数据手册(含结温-功耗曲线、典型波形、封装尺寸与回流曲线),建议直接参考 DIODES(美台)官方资料或联系供应商获取最终规范。