型号:

SZESD9101P2T5G

品牌:ON(安森美)
封装:SOD-923
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
SZESD9101P2T5G 产品实物图片
SZESD9101P2T5G 一小时发货
描述:超低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.803
100+
0.554
500+
0.504
2000+
0.467
4000+
0.436
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压7V
击穿电压5.3V
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型ESD

产品概述:SZESD9101P2T5G

SZESD9101P2T5G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的超低电容静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线设计。该产品在工业和汽车级应用中具有出色的表现,能够有效保护敏感元件免受静电放电引起的损害。

主要特性

  1. 超低电容设计: SZESD9101P2T5G 的电容值在1MHz频率下仅为0.36pF,这使得其在应用于高速数据传输线路时,能够有效降低信号失真,并提升整体系统性能。这种低电容特性对于现代高速通信接口(如USB、HDMI等)十分重要,有助于维持信号的完整性。

  2. 高击穿电压: 本二极管的反向击穿电压(V_b,即电压-击穿的最小值)为5.3V,最大反向断态电压为5V。这种特性使得SZESD9101P2T5G 能够承受一定的过压情况,同时防止正常工作电压下的漏电流。

  3. 优异的瞬态电流处理能力: 该元器件支持最大16A的峰值脉冲电流(在10/1000µs条件下),能够有效应对瞬态电流事件,为重要电子设备提供可靠的保护。此外,对于不同的瞬态输入电流(Ipp),SZESD9101P2T5G 能够压制电压至7V(最大),确保它不会对下游电路造成破坏。

  4. 宽工作温度范围: SZESD9101P2T5G 的工作温度范围从-55°C至150°C,适应各种恶劣环境。这种广泛的操作温度范围,使其成为汽车电子、电信设备以及工业设备等应用的理想选择。

  5. 表面贴装型封装设计: 该器件采用SOD-923封装,具有紧凑的尺寸,适用于高密度PCB布局,能够降低材料成本并提升生产效率。表面贴装设计也使其在自动化生产中更加顺畅。

  6. 汽车级应用: SZESD9101P2T5G 的设计符合汽车行业标准,适用于汽车通信和数据传输系统。这确保了器件能够在汽车的复杂电气环境中长时间稳定工作,减少因静电而导致的故障。

应用领域

SZESD9101P2T5G 可广泛应用于以下领域:

  • 汽车电子:用于保护汽车内的各类传感器、控制单元及通信接口,确保汽车稳定运行。
  • 移动设备:在智能手机、平板电脑等设备中保护数据通道,提升数据传输的安全性和稳定性。
  • 消费电子:适用于需要高度集成的电子产品,如电视、游戏设备等。
  • 工业控制:保护工业设备和控制系统中的信号线,防止静电对设备造成影响。

结论

SZESD9101P2T5G 是一款高性能、超低电容的ESD保护二极管,能有效保护高速数据传输线路免受静电放电的影响。其优越的电压处理能力、瞬态电流承受能力及广泛的工作温度范围,使其成为严苛应用场景下的理想解决方案。考虑到其在汽车电子和消费电子领域的广泛适用性,SZESD9101P2T5G 具备良好的市场前景,能够满足日益增长的用户需求。