描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A；3A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.32
100+
2.77
950+
2.57
1900+
2.44
3800+
2.34
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,2.4A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)520pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)9pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：IRF7309PBF - 英飞凌 HEXFET® MOSFET
IRF7309PBF 是英飞凌（Infineon）公司的一款高性能场效应管（MOSFET），专为多种电子应用设计。该器件采用SO-8表面贴装封装，具有紧凑的尺寸和优异的电气性能，特别适合于空间受限的应用。以下是对IRF7309PBF的重要特性及应用场景的详细说明。
基础参数
- 制造商：英飞凌技术公司（Infineon Technologies）
- 系列：HEXFET®
- 零件状态：Digi-Key 停产
- FET类型：N和P沟道
- FET功能：标准型
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 电流（Id)：25°C时的连续漏极电流为4A（N沟道）和3A（P沟道）
- 导通电阻（Rds(on)）：在2.4A、10V条件下最大值为50毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA下最大值为1V
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V下最大值为25nC
- 输入电容（Ciss）：在15V下最大值为520pF
- 功率：最大功率可达1.4W
- 工作温度：可在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"、3.90mm宽）
IRF7309PBF 在设计上采用了N沟道和P沟道互补结构，允许用户在电路中灵活使用以满足不同的工作需求。其相对较低的总体导通电阻使得在电流载流时能够提升系统的能源效率，降低热量生成，进而提高整体系统的可靠性。
应用领域
由于其出色的电气特性和宽广的工作温度范围，IRF7309PBF 适用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：在DC-DC转换器、电池供电的设备中，IRF7309PBF 可用于开关调节，确保高效能的电能转换。
电机驱动：由于其高电流处理能力，该MOSFET 可在电机控制和驱动电路中使用，适用于步进电机和直流电机的驱动。
便携式设备：紧凑的SO-8封装使其非常适合在空间受限的便携式电子产品中使用，如智能手持设备和便携式音响系统。
汽车电子：广泛应用于汽车电子系统中，例如电动助力转向、车载电源管理和控制电路等领域。
性能优势
- 低导通电阻：IRF7309PBF 的低Rds(on)确保在高电流下保持低热量产生，确保设备的高效运行。
- 宽温度适应性：可以在极端温度下工作，适合在严苛环境中使用，增加了设备的可靠性。
- 可取代多种应用中的传统器件：由于封装和性能特点，IRF7309PBF 可以替代许多传统MOSFET，简化设计过程，降低成本。
总结
IRF7309PBF 是一款可靠的场效应管，兼具高性能和宽应用范围，特别适合高效率电源管理和电机驱动应用。尽管其在Digi-Key 中显示为停产状态，但其卓越的电气特性和设计灵活性，使其仍然在工业界及电子爱好者中享有良好的声誉。用户在选择合适的MOSFET器件时，IRF7309PBF 绝对是值得考虑的方案之一。