型号:

FDBL0150N80

品牌:ON(安森美)
封装:H-PSOF-8
批次:22+
包装:-
重量:1.052g
其他:
-
FDBL0150N80 产品实物图片
FDBL0150N80 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 429W 80V 300A 1个N沟道 HPSOF-8
库存数量
库存:
28
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
19.68
100+
17.9
1000+
17.38
2000+
16.95
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4mΩ@80A,10V
功率(Pd)429W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)188nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)12.8nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

FDBL0150N80 产品概述

一、概述

FDBL0150N80 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由安森美(ON Semiconductor)推出,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器等高电流、高电压的电子电路中。该产品采用 H-PSOF-8 封装,具备卓越的电气性能和热管理能力,能够满足现代电气应用对高效率和高功率密度的需求。

二、产品特点

  1. 高电流和高电压
    FDBL0150N80 的连续漏极电流(Id)高达 300A,漏源电压(Vdss)为 80V,使其能够轻松应对工业级的电流和电压需求。这使得该器件适用于对电源直流电压高、负载电流大的应用场合。

  2. 低导通电阻
    在 10V 驱动电压和 80A 电流条件下,最大导通电阻(Rds On)仅为 1.4 毫欧。这一优势降低了能量损耗及发热,更为设备的高效运行提供了可靠保障,适合对能效有较高要求的电源设计。

  3. 广泛的工作温度范围
    产品的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,使其可以在极端环境下稳定运行,适合军工、航空航天及重工业等要求严苛的应用。

  4. 优秀的开关特性
    FDBL0150N80 的栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为 4V,具备良好的开关特性。其栅极电荷(Qg)值为 188nC,意味着较小的驱动功耗,有助于提高转换效率。

  5. 高功率耗散能力
    该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 429W(Tj),可以有效地管理在高负载下产生的热量,极大地提升了器件的可靠性。

  6. 高输入电容
    输入电容(Ciss)最大为 12800pF(@25V),这保证了在高频操作下,实现稳定切换的能力,适合用于高频电源转换器。

  7. 表面贴装类型
    FDBL0150N80 的 H-PSOF-8 封装类型,支持自动化的表面贴装生产,提高了组装效率和可靠性,适合现代电子产品的生产流程。

三、应用场景

由于其优越的电气性能和工作范围,FDBL0150N80 可广泛应用于以下领域:

  • 电源管理
    在开关电源(SMPS)、逆变器及电池管理系统中,作为开关器件和整流器,用于高效能和高密度的电源设计。

  • 工业驱动
    用于电动机控制电路,提供高电流和高电压的工作能力,以支持更大功率的电机启动和运行。

  • 汽车电子
    在电动汽车、混合动力汽车和汽车电源管理系统中,具备高温工作能力,使其适用于极端环境下的电子设备。

  • 可再生能源
    在光伏发电、风能发电系统中,作为高效的功率调节器件,助力于提升能源转换效率。

四、总结

FDBL0150N80 是一款具备高电流、高电压、低导通电阻和卓越运行温度范围的 MOSFET,适用于各种对能效、可靠性和工作环境有较高要求的应用。选择适当的合适元器件,对提高整体电源转换效率、降低能耗和提升设备的稳定性至关重要。无论是在工业、电动汽车或是可再生能源领域,FDBL0150N80 都将成为设计工程师的首选器件。