型号:

BCW68GLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:24+
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BCW68GLT1G 产品实物图片
BCW68GLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 45V 800mA PNP SOT-23
库存数量
库存:
28073
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.251
200+
0.162
1500+
0.14
3000+
0.124
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)800mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@10mA,1.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)700mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:BCW68GLT1G

1. 产品基本信息

BCW68GLT1G是安森美(ON Semiconductor)公司生产的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),广泛应用于各种开关和放大器电路中。其主要参数包括集电极电流(Ic)最大值为800mA,集射极击穿电压(Vce)最大值为45V,以及功率最大值为225mW。该晶体管的封装类型为SOT-23-3(TO-236),是一种小型表面贴装封装,便于在紧凑的电路板上进行安装。

2. 电气特性

BCW68GLT1G以高效率和稳定性著称,其DC电流增益(hFE)在10mA和1V时的最小值为120,能够确保在合适的输入条件下提供良好的放大性能。此外,尽管其最大集电极截止电流(Ic)的值为20nA,这表明该器件的关断状态下表现出极低的漏电流,有助于提高电路的整体效能。

在饱和状态下,BCW68GLT1G的集电极-发射极饱和压降(Vce(sat))在不同的输入基极电流(Ib)下表现为1.5V(在30mA和300mA的Ic时),再加上其工作频率达到高达100MHz,使该器件可以应用于高频开关电路。

3. 温度特性

BCW68GLT1G具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,这确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。无论是在极端寒冷或高温条件下,该器件均能保持良好的性能,是航空航天、汽车电子以及工业控制等高需求应用场景的理想选择。

4. 封装与安装

该晶体管采用SOT-23-3(TO-236)封装,这是一个小型、轻量且适合表面贴装的封装形式,特别适合现代电子设备对空间的严格要求。其表面贴装设计使得BCW68GLT1G能够轻松集成到自动化生产和微型化电路设计中。

5. 应用领域

凭借以上特性,BCW68GLT1G适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源:作为开关元件,在功率转换和调节的电路中发挥作用。
  • 信号放大:在音频和视频信号处理电路中用于信号放大。
  • 驱动电路:能够驱动马达、继电器及其他负载。
  • 汽车电子:在汽车控制系统中用于各种信号处理和控制操作。
  • 消费电子:如音响设备、电视机等家用电器中的信号放大和开关控制。

6. 结论

综上所述,BCW68GLT1G凭借其卓越的电气特性、宽广的温度范围和紧凑的封装设计,成为各种电子应用中的一个理想选择。无论是在性能、稳定性还是集成度上,该晶体管均能满足现代电子产品日益增长的要求。随着科技的不断进步,BCW68GLT1G将继续在前沿技术中发挥重要作用,为电子工程师和设计师提供可靠的解决方案。