IPLK60R600PFD7ATMA1

产品概述：IPLK60R600PFD7ATMA1

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ PFD7
产品类型: N 通道 MOSFET

概述 IPLK60R600PFD7ATMA1 是英飞凌公司推出的一款高性能 N 通道 H级 MOSFET，专为需要高功率和高电压应用而设计。该器件采用 CoolMOS™ PFD7 技术，结合了优异的电气性能与可靠的热管理特性，适用于各种工业和消费电子应用。

基本参数

该 MOSFET 的关键参数包括其最高漏源电压 Vdss 为 600V，连续漏极电流 Id 为 7A（在 Tc=25°C 的情况下），使其能够在高压和高电流环境中稳定工作。此外，该设备的最大 Rds On（导通电阻）为 600 毫欧，在 10V Vgs 驱动下的 1.7A 电流下，保证了低的功耗和高的效率。

热管理与功率耗散

IPLK60R600PFD7ATMA1 的最大功率耗散为 45W，适用于广泛的温度范围，从 -55°C 到 150°C。其薄型封装设计，即 Thin-PAK (5x6)，允许其在空间有限的环境中实现高效散热，这对提高整体系统的可靠性和性能至关重要。

栅极特性与输入电容

该 MOSFET 的 Vgs(th)（阈值电压）最大值为 4.5V，适合低电压驱动应用。栅极电荷 Qg 最大值为 8.5nC，在 10V 时表现良好，这使得驱动电路的设计更为简便且高效。此外，输入电容 Ciss 的最大值为 344pF @ 400V，确保在高频操作下具有良好的开关性能。

适用领域

得益于这些特性，IPLK60R600PFD7ATMA1 常用于开关电源、直流-直流转换器、逆变器及电机驱动等应用场景。其高电压和高电流的特性使其在工业自动化、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、数据中心电源和电动车辆充电设施等领域表现优秀。

总结

IPLK60R600PFD7ATMA1 是一款功能强大、性能稳定的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和热管理能力，适合多种高电压、高功率应用。英飞凌的 CoolMOS™ PFD7 技术为电子设计工程师提供了设计灵活性，推动了高效能电源解决方案的发展，满足市场对可靠性和效率的日益增长的需求。无论是在消费电子还是工业应用，IPLK60R600PFD7ATMA1 都是一个值得信赖的选择。