型号:

SBCP53T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223-3
批次:23+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
SBCP53T1G 产品实物图片
SBCP53T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.5W 80V 1.5A PNP SOT-223
库存数量
库存:
184
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.875
50+
0.673
1000+
0.62
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@5mA,2V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

SBCP53T1G 产品概述

一、基本信息

SBCP53T1G是由ON Semiconductor(安森美)生产的一款高性能PNP型三极管(BJT),采用SOT-223-3表面贴装封装。这款三极管的主要应用领域包括开关电路、放大器电路和功率管理功能。它的设计目标是在宽广的应用环境下提供卓越的性能和可靠性,适用于各种电子设备。

二、主要参数

  1. 电流:SBCP53T1G可承载的最大集电极电流(Ic)为1.5A,这一特性使其能够满足高负载电流的需求,非常适合用于电源开关和负载驱动的应用。

  2. 电压:该三极管的最大集射极击穿电压(Vceo)为80V,适合用于中压电路而不影响器件寿命。其高电压处理能力使其在高电压环境下的开关操作表现得更加可靠。

  3. 功率处理:SBCP53T1G具有最高1.5W的功率处理能力,使其在高功率应用中保持良好的热稳定性,而不会引起热失控。

  4. 饱和压降:在操作电流达到50mA或500mA时,Vce饱和压降的最大值为500mV。这意味着在高流量条件下,器件不会产生过多的电压降,从而提高了电能转换的效率。

  5. 直流电流增益:在Ic = 150mA和Vce = 2V的条件下,SBCP53T1G具备至少40的电流增益(hFE),这为信号放大和开关操作提供了必要的增益特性。

  6. 温度特性:其工作温度范围从-65°C到150°C,适用于极端环境,确保在各种温度条件下均能正常运行。

  7. 转频率:具备50MHz的频率跃迁能力,使SBCP53T1G在高频电路中同样可靠,如射频应用和快速开关电路等。

三、封装及安装

SBCP53T1G采用的是SOT-223表面贴装封装(封装类型:TO-261-4、TO-261AA),这种小型封装使其在节省空间的同时,便于自动化焊接,极大地提高了生产效率。此外,表面贴装技术(SMT)使其在现代电子产品中得到了广泛应用,尤其是智能手机、电脑主板和其他高密度电路板上。

四、应用场景

由于其高效的电流处理能力和合理的电压范围,SBCP53T1G可以广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:可用作DC-DC转换器中的开关元件,提升电源效率。
  • 音频放大器电路:利用其良好的增益特性,用于音频信号放大。
  • 开关电路:适合用于各种开关电源、继电器驱动和负载控制电路。
  • 汽车电子:在汽车电气系统中,实现传感器、执行器和其他控制功能。

五、总结

SBCP53T1G是一款性能优越的PNP型三极管,适合在各种电源和信号处理电路中应用。其高电流和电压特性、出色的功率处理能力以及适应极端环境的特点,使其成为现代电子设计师的理想选择。无论是在家电、消费电子、汽车电子还是工业控制领域,这款三极管都能有效满足设计需求并提供优质的性能。