BUK9Y41-80E,115

产品概述：BUK9Y41-80E,115 N沟道MOSFET

概述

BUK9Y41-80E,115是一款高性能的N通道MOSFET（场效应管），由知名制造商Nexperia（安世）生产。这款MOSFET以其杰出的电气性能以及在严格的环境条件下的可靠性，广泛应用于各种电子设备中，如开关电源、直流电机驱动、负载开关和其他电力电子领域。

技术参数

• 技术: MOSFET（场效应管）
• 漏源电压（Vds max）: 80V
• 连续漏极电流（Id）: 24A（在60°C以下的散热器温度）
• Rds(on):
  • 最大值: 41mΩ（在10V驱动下，当前为5A）
• Vgs(th): 最大值为2.1V（在1mA下测得）
• 栅极驱动电压（Vgs）: ±10V（最大值，可确保MOSFET的稳定工作）
• 栅极电荷（Qg max）: 11.9nC（在5V的设备下测得）
• 输入电容（Ciss max）: 1570pF（在25V电压下）
• 功率耗散（P​D max）: 64W（散热器温度Tc）
• 工作温度范围: -55°C至175°C（可在极端环境下工作）

封装与安装

BUK9Y41-80E,115采用高效的表面贴装型（SMD）封装，具有LFPAK56和Power-SO8两种封装形式，便于减小PCB的占位面积和优化热管理。这种封装设计为高功率处理和小尺寸设备设计提供了灵活性，特别适合工业、汽车应用和消费电子产品。

应用场景

BUK9Y41-80E,115因其高效率和低导通电阻而特别适用于以下应用：

1. 开关电源: 适用于推挤变换器、逆变器等电源转换应用，能够高效地切换电流，减少能量损耗。
2. 电动汽车驱动: 在电机驱动系统中运用，提供高效的能源源流和控制。
3. 负载开关: 适用于高电流和高电压场合，确保开关的快速响应和稳定性。
4. 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中，能够有效控制电流流入和流出，提升系统的安全性与性能。
5. 工业设备: 用于可编程逻辑控制器（PLC）、运动控制和自动化设备中，提高系统的总效率。

性能优势

BUK9Y41-80E,115MOSFET在性能上具有以下优势：

• 高效能: 低Rds(on)和高电流处理能力可有效减小功耗，提高整体系统运行效率。
• 宽广的温度范围: 在极端温度下维持卓越性能，适合恶劣环境中的应用。
• 可靠性: 采用高品质材料和先进的制造工艺，确保器件在长时间使用中的稳定性与可靠性。
• 紧凑设计: 小尺寸封装设计，使其在空间有限的应用场合依然能实现强大的电源管理功能。

结论

BUK9Y41-80E,115是一款具有卓越性能、宽广应用场景和可靠性设计的N通道MOSFET。它的高效率和低损耗特性使其成为现代电子设备中的首选元件，特别是在需要高功率处理的行业和应用场合。无论是在消费类电子产品，还是在工业和汽车电子方面，这款MOSFET都展现出了极强的市场竞争力。随着电子技术的不断发展，BUK9Y41-80E,115将继续在各类电力电子设备中扮演重要角色。