型号:

FDMS86252

品牌:ON(安森美)
封装:8-PQFN(5x6)
批次:2年内
包装:-
重量:1g
其他:
-
FDMS86252 产品实物图片
FDMS86252 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 69W 150V 16A 1个N沟道 Power-56
库存数量
库存:
3001
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
10.54
100+
9.16
750+
8.33
1500+
8.01
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)51mΩ@10V,4.6A
功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)678pF@75V
反向传输电容(Crss@Vds)4.3pF@75V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:FDMS86252 N通道 MOSFET

1. 概述

FDMS86252 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用而设计。该元器件结合了优越的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子领域,包括电源转换、应急电源管理以及电机驱动等应用。

2. 关键特性

  • 额定电压:FDMS86252 能够支持高达 150V 的漏源电压(Vdss),使其适合高压电源系统和应用。
  • 最大连续电流:在 25°C 环境温度下,该MOSFET具有高达 4.6A 的连续漏极电流能力,而在降低环境温度条件下,漏极电流可达到最高 16A。这种高电流能力适用于高负载需求的场合。
  • 低导通电阻:在 10V 的栅极驱动电压和 4.6A 的漏极电流下,其导通电阻(Rds(On))仅为 51 毫欧,显著降低了在开关操作时的能量损耗。
  • 阈值电压:该器件在 250µA 的漏电流时,最大栅源阈值电压(Vgs(th))为 4V,确保其在较低电压下即可有效驱动开关。
  • 栅极电荷特性:根据典型参数,在10V栅极电压下,栅极电荷(Qg)达到最高 15nC,表现出优良的切换速度,有助于提升整体电路效率和性能。
  • 输入电容:在 75V 时,其输入电容(Ciss)最大值为 905pF,这进一步优化了高频开关特性。
  • 高工作温度范围:FDMS86252 的工作温度可达 -55°C 到 150°C,适用于严苛环境下的应用。

3. 封装与安装

FDMS86252 采用 8-PQFN(5x6)封装设计,具有低重量和小体积的优点,适合表面贴装(SMD)应用。这种封装方式有效增加了散热能力,并提高了电路板的布线密度,尤其在空间受限的设计中极具优势。

4. 应用领域

FDMS86252 广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:用于 AC-DC 转换器、 DC-DC 转换器等电源管理系统,能有效提高能量转化效率。
  • 电机驱动器:在电机控制电路中,支持高电流和高电压需求,且具有快速开关能力。
  • 电池管理系统:在充电和放电控制中,FDMS86252 可作为高效的开关元件。
  • 汽车电子:在新能源汽车或电气化汽车中的电源系统中,支持高压和高功率的应用场景。

5. 总结

FDMS86252 N 通道 MOSFET 以其高额定电压、高电流能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,非常适合高性能电源管理及开关应用。其优秀的电气特性和便捷的封装设计,使其成为各类工业和消费电子设计中的理想选择,为用户提供了极高的性价比与可靠性。无论是在电源转换、汽车电子还是电机控制等领域,FDMS86252 都能够满足现代电子设计对高效、安全和可靠性的要求。