描述：MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-30V-15.7A（Ta）-100A（Tc）-3.6W-4.3W-表面贴装型-8-Power33（3x3）
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2.11
750+
1.89
1500+
1.79
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11.5mΩ@10V,14.4A
功率(Pd)3.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)650pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
SIZ342DT-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SIZ342DT-T1-GE3 是一款由威世（Vishay）公司制造的高性能 2N-通道 MOSFET 阵列。这款器件专为多种应用设计，具备优越的电气性能和热特性。MOSFET 以其低导通电阻、优异的电流承载能力以及广泛的工作温度范围，使其成为现代电子设计中的理想选择。
2. 主要规格
- 类型：双N-通道 FET
- 漏源电压 (Vdss)：最大 30V
- 连续漏极电流 (Id)：在安静环境下 (Ta) 最大可达 15.7A，而在提升温度情况下 (Tc) 最大值可达 100A。
- 导通电阻（最大值)：在 Vgs 为 10V、Id 为 14A 时，导通电阻仅为 11.5mΩ，确保低功耗和高效率操作。
- 输入电容 (Ciss)：在 Vds 为 15V 的情况下最大值为 650pF，适合高速开关应用。
- 栅极电荷 (Qg)：在 Vgs 为 10V 的情况下最大栅极电荷为 20nC，这对于提升切换速度具有重要意义。
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大 2.4V @ 250µA，适合低电压驱动要求。
- 功率：最大功率额定值为 3.6W（Ta）和 4.3W（Tc），适用于高功率密度设计。
- 工作温度范围：-55°C 至 +150°C，确保在恶劣环境下稳定工作。
3. 封装信息
SIZ342DT-T1-GE3 采用 8-Power33（3x3）表面贴装型封装，具有紧凑结构和良好的散热性能。此种封装设计使得在电路板上占用较小的面积，同时便于实现高密度的元器件布局。
4. 应用领域
SIZ342DT-T1-GE3 MOSFET阵列广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理：高效的电源开关和电源调节器，特别是在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。
- 电机驱动：可用于电动机控制应用，提供优质的开关性能来提高电动机效率。
- 负载开关：经典的负载开关应用，利用其低导通电阻特性减少能量损耗。
- 自动化及控制系统：能适应各种传感器和控制电路需求。
5. 性能优点
SIZ342DT-T1-GE3 的低导通电阻和高漏极电流额定值使其在高频和高功率应用中表现出色。较低的栅极电荷有助于快速开关，而高工作温度范围确保其在复杂且恶劣环境下仍然可以稳定工作。此外，其紧凑的封装设计适合用于空间有限的应用场合。
6. 结论
总的来说，SIZ342DT-T1-GE3 是一款高效、可靠的 MOSFET 阵列器件，特别适合各种需要高频、高功率的应用。凭借其优秀的电气参数和坚固的封装设计，SIZ342DT-T1-GE3 无疑是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。