型号:

SCT2750NYTB

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TO-268
批次:-
包装:编带
重量:5.015g
其他:
SCT2750NYTB 产品实物图片
SCT2750NYTB 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 57W 1.7kV 5.9A 1个N沟道 TO-268-2
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24.15
100+
21.56
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)5.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)750mΩ@18V,1.7A
功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@0.63mA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@500V
输入电容(Ciss@Vds)275pF
反向传输电容(Crss@Vds)7pF
工作温度-55℃~+175℃

SCT2750NYTB 产品概述

SCT2750NYTB 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能 N 通道硅碳化(SiC)场效应管(FET),其针对高压、高温和高效率应用而设计,广泛适用于电力电子和工业设备。该器件采用表面贴装型(SMT)封装,具体封装形式为 TO-268-3,适合于现代电子设备的紧凑安装需求。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): SCT2750NYTB 的漏源电压高达 1700V,能够满足高压应用的需求,这使得它在电源转换器、逆变器和其他需要高电压开关的电路中表现出色。

  2. 电流能力(Id): 在 25°C 的条件下,该器件的连续漏极电流可达到 5.9A,确保在高负载条件下仍能稳定工作。该特性对于高频率开关应用尤为重要,可以有效提高系统的效率和可靠性。

  3. 导通电阻(Rds On): 其最大导通电阻为 975 毫欧,在 18V 驱动电压下测得 1.7A 电流。这一参数直接影响到功率损耗,因此较低的 Rds On 有助于提高整体系统的能效,降低热量产生。

  4. 栅极电荷(Qg): 在 18V 驱动电压下,栅极电荷 Qg 达到最大 17nC,这使得该 FET 在快速切换应用中表现良好,有效提升开关频率,适合于高效能的开关电源和变换器设计。

  5. 工作温度: SCT2750NYTB 的工作温度范围高达 175°C,适应高温环境的要求,对于工业应用尤其重要,确保长期稳定运行。

  6. 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 57W(在 Tc 条件下),支持多种功率等级的应用,能够承受高功率工作环境,提高系统的稳定性。

  7. 输入电容(Ciss): 在 800V 下,最大输入电容 Ciss 为 275pF。这一参数对于高速开关能力及高频性能至关重要,能够确保高效的驱动和快速的开关响应。

应用领域

由于 SCT2750NYTB 的高电压、高温特性及较低的导通电阻,该器件非常适合于如下应用领域:

  • 电力电子设备: 在高压 DC/DC 变换器、AC/DC 电源转换器和逆变器中作为主开关器件使用。
  • 新能源应用: 特别是在太阳能逆变器和风能发电系统中,该器件的高效率和高可靠性使其成为优选。
  • 工业自动化: 可以应用于电机驱动、伺服控制等领域,提供高效能的解决方案。
  • 电动汽车: 在电池管理系统和充电装置中,可以用于高效转换和控制电流。

总结

SCT2750NYTB 代表了 ROHM 在 SiC 领域的技术优势,其提供的高耐压、高温及高效率的特性,使其成为现代电力电子设备的理想选择。无论是在提升系统性能还是降低功率损耗方面,SCT2750NYTB 都展现出优异的表现,将极大地推动电子行业向更高性能、更高能效的方向发展。对于设计工程师而言,该器件不仅符合当今市场需求,还为未来的创新应用提供了强有力的支持。