型号：
FDC6327C
品牌：ON(安森美)
封装：SuperSOT™-6
批次：22+
包装：编带
重量：0.037g
其他：
-
描述：MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-20V-2.7A-1.9A-700mW-表面贴装型-SuperSOT™-6
库存数量
库存：
1066
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.59
100+
1.28
750+
1.14
1500+
1.08
3000+
1.02
产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）80 毫欧 @ 2.7A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.7A，1.9A
FET 类型N 和 P 沟道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）325pF @ 10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.5nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）20V
FET 功能逻辑电平门
功率 - 最大值700mW
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA
封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6
FDC6327C 产品概述
FDC6327C 是一种高性能的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 阵列，专为表面贴装应用而设计，采用了 SuperSOT™-6 封装。这款器件的工作电压范围为 20V，同时可以承载连续漏极电流高达 2.7A（N 沟道）和 1.9A（P 沟道），使其非常适用于需要高效率和高功率处理能力的电子设备。
主要参数
- 安装类型：表面贴装型（SMT）
- 封装类型：SuperSOT™-6
- 工作温度：-55°C 到 150°C，适合在极端环境中使用
- 最大漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：N 沟道 2.7A，P 沟道 1.9A
- 导通电阻（Rds(on)）：在 2.7A 和 4.5V 下最大为 80 毫欧，确保了低功率损耗和高效率
- 输入电容（Ciss）：最大 325pF @ 10V，适合高频切换应用
- 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 下最大 4.5nC，有助于优化开关速度和减少开关损耗
- 功率处理能力：最大 700mW，适合用于各种功率放大和控制电路
应用领域
FDC6327C 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 负载开关: 由于其优良的导通电阻和电流承载能力，此元件可用作小型电机、LED 驱动电路和其他负载的开关。
- 电源管理: 在电源分配和管理电路中，实现高效的电流控制和切换，优化能耗表现。
- 高频开关应用: 因其低输入电容和栅极电荷，FDC6327C 能够在高频率下有效地进行开关，适用于DC-DC转换器和同步整流电路。
- 汽车电子: 工作温度范围为-55°C到150°C，使其特别适合汽车和工业自动化应用中使用。
产品优势
FDC6327C 的设计为电子工程师提供了多重优势：
- 高效能: 该设备的低导通电阻和高电流能力使其在推动负载时更加高效，降低热量产生和能量损耗。
- 宽温度范围: 在极端环境下的可靠性，使其适应于汽车、工业和消费类电子产品。
- 简化设计: 使用 MOSFET 阵列简化了原理图和实际电路设计，提高了系统的集成度与可维护性。
- 灵活性: N 与 P 沟道的组合，不仅可以优化电路设计，还能满足各种功能需求，如电源切换和负载驱动。
技术规格总结
- 类型: N 和 P 沟道 MOSFET
- 最大漏极电压 (Vdss): 20V
- 最大连续漏极电流 (Id): N 沟道 2.7A，P 沟道 1.9A
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 80 毫欧 @ 2.7A，4.5V
- 最大功率: 700mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 输入电容 (Ciss): 325pF @ 10V
- 栅极电荷 (Qg): 4.5nC @ 4.5V
- 封装类型: SuperSOT™-6
结论
FDC6327C 融合了高度可靠性和优异的电气特性，成为现代电子电路设计中极具吸引力的选择。无论是在移动设备、汽车电子还是工业控制领域，该元件都展现出了出色的性能和适应性，是提升系统效率与性能的理想选择。通过利用 FDC6327C 的优势，设计工程师可以确保其产品能够在市场竞争中脱颖而出。