描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.7A 1个P沟道 SOIC-8
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商品单价
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1.84
100+
1.48
1000+
1.32
2000+
1.24
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@4.5V,3.2A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)50nC
输入电容(Ciss@Vds)1.5nF
反向传输电容(Crss@Vds)340pF
工作温度-55℃~+150℃
IRF7404TRPBF 产品概述
IRF7404TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术制造，广泛应用于各种电子电路中，包括电源管理、负载开关和信号调理等场景。该产品以其优良的电气性能和高效的热管理能力而受到设计工程师们的青睐。
主要规格与特性
电压与电流能力
- IRF7404TRPBF 的漏源电压 (Vdss) 为 20V，能够在低压环境中安全稳健地工作。最大连续漏极电流 (Id) 达到 6.7A（在 25°C 时），确保了在负载需求较大的应用场景中的可靠性。
导通电阻
- 在使用 4.5V 驱动电压时，该 MOSFET 的导通电阻 (Rds On) 最小可达 40 毫欧 @ 3.2A。这种低导通电阻有助于减少功率损耗和提高电路效率，降低整体散热要求，使得 产品更适合高效能的电源和开关应用。
阈值电压
- 最大 Vgs(th) (栅源阈值电压) 为 700mV @ 250µA，意味着在较低的栅电压下也能有效开启，有助于优化电路的开关性能，并支持多种驱动电压的应用。
输入电容和栅极电荷
- 输入电容 (Ciss) 最大值为 1500pF @ 15V，栅极电荷 (Qg) 最大值为 50nC @ 4.5V。这些参数使得 IRF7404TRPBF 在高频开关应用中表现出色，能够实现快速开关，降低开关损耗。
工作环境与散热
- IRF7404TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于严苛环境的应用。最大功率耗散为 2.5W（在 25°C 时），确保其在负载情况下能够有效地管理热量。
封装与安装
该元件采用 SOIC-8 表面贴装型封装，便于在现代电子设备中集成。其封装尺寸为 0.154"（3.90mm 宽），使得它非常适合空间受限的电路板设计。同时，SOIC 封装的引脚阵列设计也便于进行自动化贴装，提高生产效率。
应用场景
IRF7404TRPBF 广泛适用于各种电子电路，尤其在以下应用中表现优异：
- 负载开关：由于其优秀的电流承载能力和低导通电阻，广泛用于负载开关应用可有效控制电流。
- 电源管理：可用于电源转换器和稳压电源的设计中，以实现高效能的电源管理。
- 信号调理：因其高输入阻抗和低输出电压降，可用于信号调理电路。
总结
总而言之，IRF7404TRPBF 是一款性能卓越、可靠性高的 P 通道 MOSFET，具备出色的电气特性和坚固的工作环境适应性。其低导通电阻、宽工作温度范围和适合多种应用场景的灵活性，使其成为电子工程师设计电源和负载控制电路的理想选择。无论是工业设备还是消费电子产品，IRF7404TRPBF 均能满足高效能与高可靠性的要求。