型号:

BCP56T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223
批次:24+
包装:编带
重量:0.202g
其他:
-
BCP56T1G 产品实物图片
BCP56T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.5W 80V 1A NPN SOT-223
库存数量
库存:
15658
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.497
1000+
0.45
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@5.0mA,2.0V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BCP56T1G NPN晶体管

一、基本信息

BCP56T1G是一种高性能、表面贴装型的NPN晶体管,由安森美(ON Semiconductor)生产,采用SOT-223封装。该器件广泛应用于各种电子设备中,尤其是高频电路和功率放大器。它的设计满足了现代电子产品在小型化、效率和性能方面的要求。

二、主要参数

  1. 晶体管类型: BCP56T1G属于NPN类型晶体管,能够有效进行电流的放大和开关操作。

  2. 电流 - 集电极 (Ic):

    • 最大集电极电流为1A,适合用于中等功率的应用。
  3. 电压 - 集射极击穿 (Vce):

    • 最大击穿电压为80V,提供了足够的安全裕度以承受电路中的瞬态过压。
  4. 饱和压降 (Vce(sat)):

    • 在集电极电流为50mA和500mA时,最大饱和压降为500mV,意味着器件在导通状态下的能量损耗较低。
  5. 电流 - 集电极截止 (ICBO):

    • 在高达100nA的截止电流下,该器件具备极低的静态漏电流,确保其在关闭状态下的能效。
  6. 直流电流增益 (hFE):

    • 在集电极电流为150mA和集射电压为2V的情况下,最小直流电流增益为40,表明该器件在中等负载条件下仍保持较为稳定的增益性能。
  7. 功率:

    • 最大功率为1.5W,适合在合理的功率条件下进行各种应用。
  8. 频率 - 跃迁:

    • 跃迁频率达到130MHz,适合高频电路的应用需求,提供足够的带宽以实现快速开关操作。
  9. 工作温度:

    • 该器件的工作温度范围广泛,支持-65°C至150°C的工作环境,适应于复杂和极端的应用环境。
  10. 封装类型:

    • SOT-223封装设计为表面贴装,方便与自动化生产线的集成,适合现代PCB布局。

三、应用场景

BCP56T1G可以广泛应用于以下几个领域:

  1. 信号放大器: 凭借其较高的频率响应和电流增益,BCP56T1G非常适合用于音频放大器及其他信号调节设备。

  2. 开关电路: 由于其低饱和压降及大电流承载能力,该晶体管适用于电源开关和负载切换电路。

  3. 线性调节器: 在电源管理和稳压电路中,BCP56T1G可用于传统的线性调节器方案中,帮助实现稳定电压输出。

  4. 无线通讯: 由于其高频特性,该器件在无线通讯设备中表现出色,能够支持信号传输和接收的需要。

  5. 传感器信号处理: 对于各种传感器(如温度、湿度传感器)的信号增强和处理,BCP56T1G能够提供可靠的解决方案。

四、总结

BCP56T1G是一款功能强大且多用途的NPN晶体管,凭借其优异的电气性能和广泛的适用范围,成为众多电子设计项目的重要组成部分。其高集电极电流能力、宽广的工作温度范围、低静态电流以及出色的频率特性,使其成为在现代电子产品中不可或缺的元件之一。随着电子技术的不断发展,BCP56T1G必将在更多应用中发挥更大的作用。