型号:

DMP4065SQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
DMP4065SQ-7 产品实物图片
DMP4065SQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 720mW 40V 2.4A 1个P沟道 SOT-23
库存数量
库存:
375
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.939
3000+
0.89
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,3.3A
功率(Pd)720mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)587pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)40pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

DMP4065SQ-7 产品概述

DMP4065SQ-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),主要目标是满足现代电子电路对高效能和小体积元器件的需求。该产品具有广泛的应用场景,尤其适用于低压直流-直流(DC-DC)转换、负载开关、功率管理、电源管理和马达驱动等领域。

基本参数

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体)
  • 漏源电压(Vdss): 40V,适用于中等电压应用
  • 连续漏极电流 (Id): 2.4A(25°C 时),为负载提供可靠的电流支持
  • 驱动电压: 该 MOSFET 在 4.5V 和 10V 驱动下,具有最低及最高的 Rds(on) 导通电阻,确保电路的高效能
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 4.2A 和 10V 的条件下,最大导通电阻为 80 毫欧,极低的 Rds(on) 有助于减少功率损耗,提高效率

开关特性

  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V(在 250µA 时),使得其能够快速响应栅极信号,适合高速开关应用
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 12.2nC(在 10V 时),对于开关驱动电路而言,较小的栅极电荷可降低驱动功耗,提高系统的整体效率
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 587pF(在 20V 时),提供良好的频率响应,适合于高频应用

其他参数

  • 功率耗散: 最大功率耗散为 720mW(Ta),为电路设计提供了重要的功率管理能力
  • 工作温度范围: 宽温范围为 -55°C 至 150°C,保证在极端条件下的稳定性和可靠性
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),方便自动化生产和缩小产品面积

物理封装

  • 封装类型: SOT-23,兼具小型化和良好的热管理性能
  • 器件封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3,适用于各种电路设计和空间要求

应用领域

DMP4065SQ-7 的特性使其成为理想的选择,适合于:

  1. 电源管理: 高效的电源开关与线性调节器
  2. DC-DC 转换器: 在降压和升压转换应用中表现优异
  3. 负载开关: 在电源管理系统中,可以安全、可靠地开关负载
  4. 马达驱动: 适用于低压电机驱动电路,可用于电动工具、电动车、家用电器等

总结

DMP4065SQ-7 是一款性能出色的 P 通道 MOSFET,具备高电流承载能力、低导通电阻与宽工作温度范围,能够满足现代电源管理和负载开关应用的需求。无论是在电源优化、热管理,还是在提高电路效率方面,该产品都是理想的选择。美台(DIODES)凭借其在半导体领域的专业技术与创新能力,确保了 DMP4065SQ-7 在市场中的竞争力和可靠性,非常适合各类电子设备的应用设计。