型号:

IRF9640PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-220AB
批次:21+
包装:管装
重量:2.64g
其他:
IRF9640PBF 产品实物图片
IRF9640PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 125W 200V 11A 1个P沟道 TO-220AB
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.55
100+
2.85
1000+
2.71
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@10V,6.6A
功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)81pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRF9640PBF 产品概述

产品简介

IRF9640PBF 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,由知名品牌 VISHAY(威世)制造,广泛用于各种电子电路应用中。该器件在功率电子和开关电源领域表现出色,其主要特点包括:额定漏源电压(Vdss)为 200V,连续漏极电流(Id)在 25°C 时高达 11A,以及额定功率耗散达到 125W。这些特性使得 IRF9640PBF 成为高压开关、直流-直流转换器、电机驱动及许多其他功率应用的理想选择。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 200V
  • 连续漏极电流(Id): 11A(在 25°C 条件下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 最大 500mΩ @ 6.6A,10V
  • 最大功率耗散: 125W (在 Tc 下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 安装类型: 通孔(Through-hole)
  • 封装类型: TO-220AB

结构与封装

IRF9640PBF 采用 TO-220AB 封装,适用于在有限空间内散热和安装,这种封装形式适合高功率应用,提供良好的散热性能。MOSFET 的封装设计考虑了电气和热管理性能,确保器件能够在高负载和高温环境中稳定运行。

电气特性

该 MOSFET 的栅源阈值电压为 4V,表示器件在这个电压下开始导电,非常适合用于低电压驱动的应用。同时,漏源导通电阻(Rds(on))为 500mΩ,确保在通电状态下能够有效降低功耗和热量产生,提升效率。

对于更高频率的应用,器件的栅极电荷(Qg)为 44nC @ 10V,意味着其在开关过程中具有较小的导通损耗和关断时间,允许高速开关操作,满足高效率电源转换需求。

应用领域

IRF9640PBF 在电气工程中具有极其广泛的应用,尤其是在以下领域:

  1. 开关电源:可用于 DC-DC 转换中的开关元件。
  2. 电机驱动:在电机控制电路中提供高效的开关。
  3. 直流负载:能够高效控制直流负载输出,提升系统整体性能。
  4. 音频放大器:在音频设备中作为高效率的开关元件,提供更好的音质和输出能力。

结论

总的来说,IRF9640PBF 以其卓越的电气性能和结构设计成为高压应用中不可或缺的组件。无论是在高效电源转换、电机驱动还是其他各种高性能电子应用中,它均显示出良好的稳定性与可靠性。选择 IRF9640PBF 意味着能够获得卓越的性能与耐久性,满足现代电子设计中对高效率和高功率的需求。