描述：场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.3mΩ@13.9A,10V
功率(Pd)3.7W；52W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
SI7617DN-T1-GE3 产品概述
概述
SI7617DN-T1-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计旨在满足高效能和高可靠性的应用需求，这使其适用于电源管理、逆变器、电动机驱动以及其他需要高功率和高电流的电路。这款 MOSFET 封装形式为 PowerPAK® 1212-8，特有的设计使其在较小的尺寸下具备良好的散热能力，从而提升了整体性能。
基本参数
- 类型: P沟道 MOSFET
- 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
- 漏源极电压（Vds）: 30V，适合用于低压供电应用
- 栅源电压（Vgs）: ±25V，保证了设备兼容性和灵活性
- 电流能力: 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 可达 35A（在晶体管结温 Tc 下）
- 导通电阻（Rds On）: 导通电阻的最大值为12.3 毫欧 @ 10V 时 13.9A，显著降低了功耗并提升了效率
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V @ 250µA，确保了快速开关响应
- 门电荷 (Qg): 最大值为 59nC @ 10V，提供较低的驱动功率消耗
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 1800pF @ 15V，以适应高频操作
- 功率耗散能力: 最大功率耗散为 3.7W（环境温度 Ta 下）和 52W（结温 Tc 下），适合严苛的运行条件
应用领域
SI7617DN-T1-GE3 可广泛应用于以下领域：
- 电源转换: 适用于开关电源、Buck 变换器和Boost 变换器等应用，能够高效处理功率转换，增强系统的整体效率。
- 电动汽车: 在电动汽车和混合动力汽车中，作为电机驱动和电源管理组件，提升能量利用率和续航里程。
- 工业电源管理: 适用于各种工业设备中的功率控制和开关应用，包括电机驱动、伺服驱动等。
- 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中用于提高功率转换性能，延长电池续航时间。
工作温度和环境适应性
该产品的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适应范围广，能在极端温度条件下稳定工作，保证了在高温和低温环境中应用的可靠性。其优秀的热管理特性使得设备在高负载下也能保持良好的性能，降低过热风险。
散热与安装
SI7617DN-T1-GE3 使用表面贴装(SMT) 安装方式，便于自动化焊接工艺。PowerPAK® 1212-8 封装有效减少了安装空间，同时提高了产品的散热性能，以确保在高功率状态下的稳定性和安全性。
结论
SI7617DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET，它结合了优秀的电气特性和广泛的应用兼容性，适合用于多种电源管理及信号开关应用。凭借其强大的性能和卓越的散热能力，SI7617DN-T1-GE3 在当今快速发展的电子行业中，无疑是实现高效率和高可靠性方案的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电动汽车等领域，它都能为工程师们提供有效的电源解决方案，助力产品创新。