描述：表面贴装型-N-通道-20V-5.1A（Ta）-1.1W（Ta）-6-TSOP
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750+
1.89
1500+
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产品参数
属性参数值
封装/外壳SOT-23-6细型，TSOT-23-6
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
栅源电压 Vgss±8V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）450mV @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）20nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
功率耗散（最大值）1.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装6-TSOP
SI3460DV-T1-E3 产品概述
产品名称: SI3460DV-T1-E3
品牌: VISHAY (威世)
类型: N 通道 MOSFET
封装: SOT-23-6 细型 / TSOT-23-6
1. 产品特性
SI3460DV-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为需要高效率和可靠性的应用而设计。它的关键参数包括漏源极电压（Vdss）为 20V，能够承受高达 5.1A 的连续漏极电流，这使其适用于多种电源管理和开关应用。它的功率耗散能力达到 1.1W，确保在各种工作条件下均能保持良好的热稳定性。
2. 技术参数
- 漏源极电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 5.1A (Ta = 25°C)
- 最大驱动电压: ±8V
- 导通电阻 (Rds(on)): 最小 27 毫欧（@ 5.1A，4.5V）
- 栅极电荷 (Qg): 最大 20nC @ 4.5V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 450mV @ 1mA (最小值)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 功率耗散 (PD): 最大 1.1W
- 安装类型: 表面贴装 (SMT)
3. 应用场景
由于其卓越的电流承载能力和极低的导通电阻，SI3460DV-T1-E3 被广泛应用于多种电子设备和电源管理系统中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 高效的电源转换和能量管理。
- 电池管理系统（BMS）: 在电池充放电过程中，提升系统的效率与安全性。
- DC-DC 转换器: 提高转换效率，降低热量生成。
- 电子负载: 作为开关组件，使得可靠的电流控制成为可能。
此外，该器件的高工作温度范围使其适合于汽车、工业、消费类电子等多个领域。
4. 设计优点
- 优越的热性能: SI3460DV-T1-E3 在尺寸小巧的同时，能够承受较高的功率，适合紧凑型设计。
- 高效能: 通过低 Rds(on) 和快速的开关特性，用户能够降低能耗，延长设备的使用寿命。
- 节省空间: SOT-23-6/TSOT-23-6 封装在设计上提供了更小的占用空间，便于现代电子产品的集成和 Miniaturization。
- 可靠性好: 宽阈电压和良好的热稳定性使得在极端工作条件下依然保持高可靠性。
5. 总结
SI3460DV-T1-E3 N 通道 MOSFET 是一款经过严苛测试的高性能器件，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景，充分满足现代电子设备对于效率、空间和可靠性的多重需求。不论是用于稳定的电源管理还是高效的电子开关，SI3460DV-T1-E3 都是一个理想的选择。其出色的性能与 VISHAY 品牌的质量，也为广大电子工程师的设计提供了更加安心的保障。