型号:

2N7002AQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:0.033g
其他:
2N7002AQ-7 产品实物图片
2N7002AQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 180mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.332
200+
0.215
1500+
0.186
3000+
0.165
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)180mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,115mA
功率(Pd)370mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)23pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

2N7002AQ-7 产品概述

概述 2N7002AQ-7是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备的开关和放大应用。此MOSFET具有低导通电阻和高漏极电流承载能力,尤其适合用于需要小型化、高效率的电路设计。该元件采用SOT-23封装,便于表面贴装,适合现代电子产品的设计需求。

主要参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于在自动化生产过程中实现贴装。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在Id为115mA,Vgs为10V的条件下,最大导通电阻为5欧姆。这种低导通电阻确保了电流的高效传输,降低了功耗。
  • 驱动电压: 在最低和最高Rds(on)时的驱动电压为5V,确保能够在常见的逻辑电平下稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 最大值为180mA,适合绝大部分的低功耗应用。
  • 漏源电压(Vdss): 最大可承受60V的漏源电压,适合高电压环境的电子产品。
  • 功率耗散: 该MOSFET可以承受370mW的功率损耗,适合于小功率应用的使用。
  • 输入电容: 在Vds为25V下,最大输入电容为23pF,保证快速开关操作和信号的稳定传输。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 在Id为250µA时,最大阈值电压为2V,适合低电压开关的需求。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C的宽广工作温度范围,使得该元件能够在极端环境下可靠运行。

应用场景 2N7002AQ-7广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。它特别适合以下应用:

  1. 信号开关: 在音频和视频设备中,用于信号的开关控制。
  2. 功率管理: 在电源管理电路中,控制电源开关以提高效率。
  3. 电机控制: 在小型电机驱动应用中,作为开关元件以控制电机的启停。
  4. LED驱动: 用于驱动LED灯条,提供稳定的电源输出。
  5. 便携设备: 在移动设备和便携式电子产品中,发挥低功耗优势。

结论 2N7002AQ-7是一款功能强大的N通道MOSFET,其优良的电气特性和高温稳定性使其在现代电子设计中受到广泛青睐。无论是在信号开关、功率管理还是LED驱动等各类应用中,2N7002AQ-7都以其高效、稳定的性能表现出色,成为工程师和设计师的理想选择。由于其小巧的SOT-23封装,使得在有限的空间内实现高效能成为可能。因此,无论是对初学者还是专业人士,掌握和使用这款MOSFET将是极具价值的。