描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 7.3A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存数量
库存：
6687
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.44
100+
1.15
750+
1.03
1500+
0.971
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.2nC
输入电容(Ciss@Vds)969pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)44pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
DMP6110SVT-7 产品概述
1. 产品简介
DMP6110SVT-7 是一款由美台（DIODES）公司生产的高性能P沟道MOSFET，专为各种电源管理与开关应用而设计。该器件在高达60V的漏源电压（Vdss）和7.3A的连续漏极电流（Id）下工作，具有优秀的电气特性和可靠性。其低电阻导通特性以及广泛的工作温度范围，使其适用于各种工业和消费电子产品中，对电源效率有较高要求的场合。
2. 技术参数
DMP6110SVT-7的主要技术参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 7.3A (25°C时，Tc)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 105mΩ @ 4.5A, 10V
- 最大功率耗散: 1.2W (Ta=25°C)
- 最大栅极电压: ±20V
- 栅极电荷（Qg）: 17.2nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 969pF @ 30V
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: TSOT-26 (SOT-23-6细型表面贴装封装)
这些参数使得DMP6110SVT-7在负载开关、直流-直流转换器和马达控制等应用中具备显著的优势。
3. 应用场景
DMP6110SVT-7适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 该器件的高电压和电流能力，能够满足开关电源和线性电源管理电路的需求。
- 交流电机控制: 在电机驱动和控制电路中，DMP6110SVT-7能有效切换电流，提高系统的效率和性能。
- 负载开关: 由于其低导通电阻和快速开关能力，适合用作负载开关，能够减少功耗并提高响应速度。
4. 性能优势
DMP6110SVT-7产品具有以下性能优势：
- 低导通电阻: 105mΩ的导通电阻在提供足够电流的情况下，能显著降低功耗，提升能效。
- 高耐压能力: 支持高达60V的漏源电压使得该器件在极端条件下依然稳定工作，扩展了其应用范围。
- 广泛的工作温度: -55°C到150°C的工作温度范围使得该器件可以在各种恶劣环境中稳定工作，适合高可靠性的工业应用。
- 小巧封装: TSOT-26表面贴装封装设计，相比传统封装可节省电路板空间，适应小型化设计趋势。
5. 结论
DMP6110SVT-7是一款功能强大的P沟道MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的工作温度范围，成为多种电子应用的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是负载开关领域，它都表现出色。对于寻求高效、可靠且空间节省的解决方案的设计师和工程师而言，DMP6110SVT-7无疑是一个值得信赖的选择。随着电子设备对高效能和高可靠性的需求不断增加，DMP6110SVT-7将在未来电子设计中发挥关键作用。