型号:

NJT4030PT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223-4
批次:2年内
包装:编带
重量:0.204g
其他:
-
NJT4030PT1G 产品实物图片
NJT4030PT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 40V 3A PNP SOT-223
库存数量
库存:
1813
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.41
50+
1.08
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)220@0.5A,1.0V
特征频率(fT)160MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@0.5A,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

NJT4030PT1G 产品概述

一、产品简介

NJT4030PT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 PNP型双极性晶体管 (BJT),其设计能够满足各种电子电路需求。该器件采用了SOT-223的封装形式,适合表面贴装,尤其适用于空间受限但需要高电流密度的应用场景。凭借其优异的电气特性,NJT4030PT1G 在现代电子设备中的应用非常广泛,包括但不限于开关电源、放大器设计、信号处理以及驱动电路。

二、基本参数

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 状态: 有源
  • 晶体管类型: PNP
  • 封装类型: SOT-223
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 最大集电极制动电流 (ICBO): 100nA
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
  • 最大功率耗散 (P): 2W
  • D.C. 电流增益 (hFE): 最小值200 @ 1A,1V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 500mV @ 300mA
  • 频率 - 跃迁: 160MHz
  • 封装/外壳: TO-261AA

三、性能特点

  1. 高电流和低饱和压降: NJT4030PT1G 的最大集电极电流为 3A,适合在需要大电流驱动的负载中使用。其在较高电流下的饱和压降仅为500mV,确保了在快速开关操作时能够有效降低功耗并提高电路效率。

  2. 宽工作温度范围: 该晶体管的工作温度范围从-55°C到150°C,适合于恶劣环境和高温应用,使得其能够在工业、军事和汽车等领域中有着广泛的应用。

  3. 出色的电流增益: NJT4030PT1G 在 1A 时最低电流增益达到 200,这意味着在小信号输入的情况下能够产生较大幅度的输出,有效增强信号功率,满足音频和开关信号应用的需求。

  4. 高频特性: 频率跃迁高达160MHz,使其在高频开关及射频应用中表现出良好的性能,满足高性能射频电路设计的要求。

四、应用领域

由于其优异的电性和广泛的工作范围,NJT4030PT1G 被广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 可用于高效的DC-DC转换器和AC-DC适配器中,提供稳定的输出电流。
  • 音频放大器: 由于其出色的增益特性,可以作为音频信号的功率放大器,提升音质表现。
  • 信号驱动电路: 广泛用于微控制器输出信号的驱动电路,尤其是在需要控制高功率负载的场景下。
  • 电子开关: 在各种自动化设备和控制电路中,作为开关元件用于控制电流的通断。
  • 汽车电子: 适用于汽车内的各类电气系统,能够在严酷的环境中稳定工作。

五、总结

NJT4030PT1G 三极管凭借其高电流、低饱和压降、高频特性和宽工作温度范围,成为现代电子设备和电路设计中不可或缺的关键元件。其在多种应用中的表现出色,使其在功率放大、信号处理及驱动电路等领域中广受欢迎。工程师和设计师们在选择高效能、可靠性的元器件时,NJT4030PT1G 将是一个非常优质的选择。