IPD12CN10NGATMA1

产品概述：IPD12CN10NGATMA1

概述 IPD12CN10NGATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。这款 MOSFET 适用于各种高功率和高电压的应用领域，如电源管理、马达驱动、汽车电子等。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，使其成为现代电子设计中的理想选择。

主要技术参数

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）：最大工作电压为 100V，适用于高电压应用。
4. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的情况下，最多可承载 67A 的电流，为高功率应用提供了灵活性。
5. 导通电阻（Rds On）：在 10V 驱动电压下，67A 条件下最大导通电阻为 12.4 毫欧，可有效降低导通损耗。
6. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 83µA 流量下最大阈值电压为 4V，确保在一定电压下导通。
7. 栅极电荷（Qg）：针对 10V Vgs，最佳的栅极电荷为 65nC，有助于提升开关速度，适合高频开关应用。
8. 栅极源电压（Vgs）最大值：±20V，确保安全工作范围内的操作。
9. 输入电容（Ciss）：在 50V 时最大输入电容为 4320pF，适用于快速开关场合。
10. 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为 125W，提供强大的热管理能力。
11. 工作温度：该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适合恶劣环境下的应用。
12. 封装类型：采用表面贴装型 TO-252-3 (DPAK) 封装，便于自动化焊接和高密度布线。

应用场景 由于其高电压和电流能力，IPD12CN10NGATMA1 MOSFET 适用的应用场景非常广泛：

• 电源转换器：在开关电源（SMPS）中，可以用作开关元件，有助于提高电源的效率与稳定性。
• 马达驱动：适于驱动直流电机或步进电机，使其易于实现高效率和精准控制。
• 汽车电子：在汽车应用中，如电池管理系统和动力转换系统，能满足对高温和高可靠性组件的需求。
• 逆变器：在光伏逆变器和风能逆变器中提供高效的电力转换。

总结 IPD12CN10NGATMA1 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，使其成为高级电源管理和马达驱动应用的理想选择。其低导通电阻和高功率处理能力将为设计师提供灵活性与可靠性，以应对各种挑战。无论是在工业设备还是汽车电子中，IPD12CN10NGATMA1 都能为现代电子设计提供不可或缺的支持。