型号：
IRF540NSPBF
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：D2PAK
批次：-
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.99
100+
4
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
包装管件
零件状态Digi-Key 停产
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）130W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss）100V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）71nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1960pF @ 25V
产品概述：IRF540NSPBF MOSFET
一、基本信息
IRF540NSPBF是由全球领先的半导体制造商Infineon Technologies生产的一款高性能N通道MOSFET。该器件属于HEXFET®系列，专为各种中高电压和电流应用而设计。它采用D2PAK封装，非常适合表面贴装（SMT）应用，具有出色的散热性能和可靠性。
二、主要规格
- FET类型：N通道MOSFET
- 最大漏源电压（Vdss）：100V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下可以达到33A（Tc）
- 导通电阻（Rds On）：在10V栅极驱动电压下，对于16A的电流，最大导通电阻为44毫欧
- 栅源电压（Vgs）：最大值为±20V
- 功率耗散（最大）：可达到130W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C至175°C（TJ）
- 输入电容（Ciss）：在25V的条件下最大输入电容为1960pF
- 栅极电荷（Qg）：在10V的栅驱动下，最大栅极电荷为71nC
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V（在250µA电流下）
三、应用领域
IRF540NSPBF由于其高性能的特点，广泛应用于多个领域，包括：
- 电源管理：由于其支持高电流和电压，可以有效用于DC-DC转换器、AC-DC适配器和其他电源管理应用。
- 电机驱动：适合于电机驱动电路，能够提供可靠的性能和效率。
- 开关电源：MOSFET的快速开关能力使其在开关电源电路中表现优异，减少开关损耗，提高系统效率。
- 高频应用：低导通电阻和小输入电容使得IRF540NSPBF可应用于高频开关应用，如RF放大器等。
四、优异性能与特点
IRF540NSPBF具备以下关键优势：
- 高功率处理能力：其功率耗散能力高达130W，使其可以在苛刻的环境中工作，而不会过热。
- 低导通电阻：最低的导通电阻可以有效降低通电损耗，这对于提升整体效率至关重要。
- 高温稳定性：工作温度范围广（-55°C至175°C），使得该产品能够在严酷的温度条件下稳定工作，非常适合工业和汽车等应用。
- 优良的开关特性：高栅极电荷和小输入电容特点使得其在高频开关操作时表现优异，提升了整个系统的响应速度和效率。
- 可靠性强：Infineon作为知名的半导体供应商，其产品在多个行业中被广泛应用，IRF540NSPBF也以其卓越的性能而受到市场的认可。
五、采购注意事项
值得注意的是，IRF540NSPBF目前的零件状态为Digi-Key停产。客户在采购时需提前确认库存情况及供应链的可替代性。此外，考虑到产品在实际应用中的性能要求，建议仔细阅读数据手册，以确保其适用性。
六、结论
总之，IRF540NSPBF是一个高效、高功率处理能力的N通道MOSFET，凭借其极具竞争力的规格和可靠的性能，广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。其高温稳定性、低导通电阻及优良开关特性使得其在要求严苛的应用中表现出色。虽然目前该产品在市场上处于停产状态，但在合适的应用场合下，IRF540NSPBF仍然是理想的选择。