产品概述:SISA88DN-T1-GE3
一、基本介绍
SISA88DN-T1-GE3 是一款由 VISHAY(威世)制造的高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 PowerPAK® 1212-8 封装。凭借其优异的电气特性和强大的热管理能力,这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、电动工具和消费电子产品等领域,其高效的性能使其成为现代电子设计中不可或缺的核心元件。
二、关键参数
- 漏源电压(Vdss): SISA88DN-T1-GE3 的额定漏源电压为 30V,适合多种低到中等电压应用。
- 漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,连续漏极电流可达 16.2A,在更高的环境温度下(Tc)可以实现最高 40.5A 的电流输出,使其适合高功率应用。
- 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅电压下,其导通电阻可达到 6.7 毫欧,这样的低导通电阻有效降低了功率损耗,使得器件在高电流条件下表现出色。
- 驱动电压(Vgs): 此器件可以在 4.5V 至 10V 的栅源电压下正常工作,满足多种驱动要求。同时,最大栅源电压 (+20V,-16V) 提供了良好的安全边际。
- 功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 3.2W(在 25°C 时),在更高的工作温度下,最大可达 19.8W(在 Tc 下),保证了其在高负载情况下的热稳定性。
- 工作温度范围: SISA88DN-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,为各种苛刻环境下的应用提供了可靠性。
三、电气特性
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的漏电流下,Vgs(th) 的最大值为 2.4V,这意味着需施加极少的栅电压便可开启导电通道,使器件能在更低的电压下工作,提高了系统的能源效率。
- 输入电容 (Ciss): 在 15V 的漏源电压下,其输入电容值最大为 985pF,这一特性有助于提高开关速度和降低转换损耗。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅电压下,其最大栅极电荷达到 25.5nC,较低的栅电荷使驱动电路设计简单,降低了对驱动器能力的需求。
四、封装与安装
SISA88DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装,具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合现代高密度电路板设计。此外,表面贴装形式使其在工业生产中易于自动化贴装,提高了制造效率。
五、应用场景
由于其优越的性能,SISA88DN-T1-GE3 特别适合于以下几种应用:
- 电源管理:在DC-DC 转换器、电池管理系统和开关电源中充当主开关,以改善能效和降低功耗。
- 马达驱动:用于电机控制电路,适合无刷电机、步进电机等应用。
- 消费电子:可用于各种电子消费品,提升产品性能及寿命。
六、总结
SISA88DN-T1-GE3 是一款性能卓越、高度可靠的 N 通道 MOSFET,适合各种电子设计中的高效应用。其在功率处理、热管理和小型化设计等方面的优势,使其成为满足现代电子设备需求的理想选择。通过有效利用这款器件,工程师们能够实现更高效、更经济的电路设计,推动创新的技术进步。